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장우진 (한국전자통신연구원) 안호균 (한국전자통신연구원) 임종원 (한국전자통신연구원) 문재경 (한국전자통신연구원) 윤형섭 (한국전자통신연구원) 민병규 (한국전자통신연구원) 지홍구 (한국전자통신연구원) 강동민 (한국전자통신연구원) 김해천 (한국전자통신연구원) 남은수 (한국전자통신연구원)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2010년도 대한전자공학회 하계종합학술대회
발행연도
2010.6
수록면
1,984 - 1,987 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2010

S/X-band용 AlGaN/GaN HEMT 소자의 특성
장우진 ,  안호균 ,  임종원 외 7명 대한전자공학회 학술대회 2010.06 학술대회자료
S/X-band용 AlGaN/GaN HEMT 소자의 특성
장우진 ,  안호균 ,  임종원 외 7명 대한전자공학회 학술대회 2010.06 학술대회자료

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The fabrication method and the performance of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs) for S/X-band Applications were presented. The fabricated AlGaN/GaN HEMT with a gate length of 0.5um and a total gate width of 300um exhibited a maximum transconductance of 305mS/mm and a drain saturation current of 180mA, respectively. The cut-off frequency(fT) and the maximum frequency of oscillation (fmax), measured at Vds = 8V, were 31GHz and 53GHz, respectively. The AlGaN/GaN HEMT also shows a maximum output power density of 2.3W/mm at 2.4GHz and 1.8W/mm at 10GHz. For the fabricated AlGaN/GaN HEMT with a gate length of 0.25um and a total gate width of 100um, the cut-off frequency(fT) and the maximum frequency of oscillation (fmax), measured at Vds = 8V, were 39GHz and 120GHz, respectively.

목차

Abstract
I. 서론
II. 본론
Ⅳ. 결론
참고문헌

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