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최길웅 (삼성탈레스) 이복형 (삼성탈레스) 김형주 (삼성탈레스) 김상훈 (광운대학교) 최진주 (광운대학교) 김동환 (국방과학연구소) 김선주 (국방과학연구소)
저널정보
한국전자파학회 한국전자파학회논문지 韓國電磁波學會論文誌 第24卷 第4號
발행연도
2013.4
수록면
394 - 402 (9page)

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본 논문은 GaN(Gallium Nitride) HEMT(High Electron Mobility Transistor)를 이용한 S대역 레이더용 전력증폭기 설계하고 제작된 스위칭 모드 전력증폭기의 ruggedness 시험에 관련된 내용을 기술하였다. 고효율 특성을 위해 전력증폭기를 Class-F로 설계하였으며, 측정을 위한 입력 신호는 100 ㎲의 pulse width 및 10 %의 duty cycle인 pulse 신호를 사용하였다. 제작된 Class-F 전력증폭기의 중심 주파수에서 측정한 결과, 8.7 ㏈의 전력 이득과 42 ㏈m의 출력 전력, 54.2 %의 전력 부가 효율(PAE) 및 62.6 %의 드레인 효율이 측정되었다. 또한, 전력증폭기의 신뢰성 시험의 일환으로 Ruggedness 시험을 위한 실험 구성을 제안하고, VSWR(Voltage Standing Wave Ratio)을 변화시켜 출력 전력과 효율을 측정하였다. 설계된 전력증폭기가 VSWR 변화에 따라 출력 전력 32.6~41.1 ㏈m까지 변화하고, 드레인 효율은 23.4~63 %까지 변하는 특성을 얻을 수 있었다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. Class-F 전력증폭기 동작원리 및 설계
Ⅲ. Class-F 전력증폭기 제작 및 특성 시험
Ⅳ. 결론
참고문헌

참고문헌 (16)

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