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류선미 (동국대학교) 이경엽 (동국대학교) 조두용 (동국대학교) 전병훈 (동국대학교)
저널정보
대한전기학회 대한전기학회 학술대회 논문집 2010 대한전기학회 제41회 하계학술대회
발행연도
2010.7
수록면
1,485 - 1,486 (2page)

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For quantitative understanding of gas discharge phenomena, we should know electron collision cross section. Processing plasma etching of semiconductor, and research are being used in the etching source C₄F? gas may be used by itself and mixed with other gases are also used. However, the molecular gas C₄F? study on the characteristics ... 전체 초록 보기

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