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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제18권 제4호
발행연도
2005.1
수록면
375 - 380 (6page)

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CF4 molecular gas is used in most of semiconductor manufacture processing and SF6 molecular gas is widely used in industrial of insulation field. but both of gases have defect in global warming. C3F8 gas has large attachment cross-section more than these gases, moreover GWP, life-time and price of C3F8 gas is lower than them, therefor it is important to calculate transport coefficients of C3F8 gas like electron drift velocity, ionization coefficient, attachment coefficient, effective ionization coefficient and critical E/N. The aim of this study is to get these transport coefficients for imformation of the insulation strength and efficiency of etching process. In this paper, we calculated the electron drift velocity (W) in pure C3F8 molecular gas over the range of E/N=0.1~250 Td at the temperature was 300 K and gas pressure was 1 Torr by the Boltzmann equation method. The results of this paper can be important data to present characteristic of gas for plasma etching and insulation, specially critical E/N is a data to evaluate insulation strength of a gas.

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