Independent-Gate-Mode Double-Gate MOSFET을 이용한 Optical Receiver 설계

김유진; 정나래; 박성민; 신형순

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자료유형: 학술저널

저자정보: 김유진 (이화여자대학교) 정나래 (이화여자대학교) 박성민 (이화여자대학교) 신형순 (이화여자대학교)

저널정보: 대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌第47卷 SD編第8號

발행연도: 2010.8

수록면: 13 - 22 (10page)

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Independent-Gate-Mode Double-Gate(IGM-DG) MOSFET은 기존의 bulk-MOSFET에 비해 향상된 채널 제어능력을 가지며, front-게이트와 back-게이트를 서로 다른 전압으로 구동가능하다는 이점을 가진다. 따라서, 이를 이용한 회로설계는 4-terminal의 자유도를 이용함으로써 회로성능의 향상 뿐 아니라 집적도 향상을 기대할 수 있다. 본 논문에서는 IGM-DG MOSFET의 장점을 이용하여 TIA, feedforward LA, 및 OB로 구성된 15Gb/s 광수신기를 설계하고, HSPICE 시뮬레이션을 통한 회로성능 검증 및 외부환경과 소자의 특성변화에 따른 안정성을 검증하였다.

#IGM-DG MOSFET #Double-Gate #TIA #feedforward LA #Optical Receiver

참고문헌 (15)

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1. [기타자료] - H.S.Wong / 1994 / Design and Performance Considerations for Sub-0.1um Doubl-Gate SOI MOSFET's / IEDM Tech. Deg : 747 ~

2. [학술지(정기간행물)] - K.Kim / 2001 / Double-Gate CMOS: Symmetrical -Versus Asymmetrical- Gate Devices / IEEE transactions on electron decives 48 (2)

3. [학술지(정기간행물)] - 정나래 / 2009 / Independent-Gate-Mode Double-Gate MOSFET을 이용한RF Receiver 설계 / 전자공학회논문지 - SD 46 (10) : 16 ~ 24

4. [학술지(정기간행물)] - Y. Liu / 2007 / Cointegration of High- Performance Tied-Gate Three-Terminal FinFETs and Variable Threshold-Voltage Independent- Gate Four-Terminal FinFETs With Asymmetric Gate-Oxide Thicknesses / IEEE Electron device letters 28 (6)

5. [학술대회논문] - M. Masahara / 2006 / Demonstration of Asymmetric Gate Oxide Thickness 4-Terminal FinFETs / Proc. IEEE International SOI Conference : 165 ~ 166

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