지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.1
- 수록면
- 243 - 249 (7page)
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
본 논문에서는 대칭형 이중 게이트 MOSFET의 회로해석에 대한 등가모델을 제시하고자 해석적 모델을 연구하였다. 본 연구의 해석적 모델에 사용된 방법은 2차원 포아송 방정식의 해를 가정하여 표면 전위 관계식을 유도하여 실리콘 몸체 내의 전위분포를 풀어 드레인 전압 변화에 대한 문턱전압 관계식을 도출하였다. 단채널 및 장채널 실리콘 채널에서 모두 해석이 가능한 해석적 모델을 적용 가능하도록 하기 위해 MOSFET의 채널 길이에 따른 제한된 지수함수를 적용함으로써 수백 나노미터까지 해석이 가능한 대칭형 이중 게이트 MOSFET 해석적 모델을 연구하였다.
목차
등록된 정보가 없습니다.
참고문헌 (11)
참고문헌 신청
S. P. Sinha / 1994 / Investigation of carrier generation in fully depleted enhancement and accumulation mode SOI MOSFET's / IEEE Trans. Electron Devices 42(12):2413~2416
Ni. Pei / 2004 / A physical compact model of DG MOSFET for mixed-signal circuit applications- part I : model description / IEEE Trans. Electron Devices 51(12):2135~2143
Weimin Zhang / 2005 / Physical insights regarding design and performance of independent-gate FinFETs / IEEE Trans. Electron Devices 52(10):2198~2206
K. K. Young / 1989 / Short-channel effect in fully depleted SOI MOSFETs / IEEE Trans. Electron Devices 36(2):399~402
Y.Omura / 1982 / A simple model for short-channel effects of a buried-channel MOSFET on the buried insulator / IEEE Trans. Electron Devices 29(11):1749~1755
Ni. Pei / 2004 / A physical compact model of DG MOSFET for mixed-signal circuit applications- part I : model description / IEEE Trans. Electron Devices 51(12):2135~2143
Weimin Zhang / 2005 / Physical insights regarding design and performance of independent-gate FinFETs / IEEE Trans. Electron Devices 52(10):2198~2206
K. K. Young / 1989 / Short-channel effect in fully depleted SOI MOSFETs / IEEE Trans. Electron Devices 36(2):399~402
Y.Omura / 1982 / A simple model for short-channel effects of a buried-channel MOSFET on the buried insulator / IEEE Trans. Electron Devices 29(11):1749~1755
함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
해석학적 전류-전압모델을 이용한 이중게이트 MOSFET의 전송특성분석
한국정보통신학회논문지
2006 .09
-
단채널 및 협폭을 갖는 MOSFET의 문턱 전압에 관한 연구 ( The Study on Threshold Voltage of Short Channel and Narrow Width MOSFET ` s )
대한전자공학회 학술대회
1984 .01
-
나노채널 MOSFET의 문턱전압분석
한국정보통신학회논문지
2002 .02
-
Dynamic characteristics for Double Gate MOSFET
한국정보통신학회논문지
2005 .12
-
폴리게이트의 양자 효과에 따른 Double-Gate MOSFET의 단채널 효과 분석
대한전자공학회 학술대회
2003 .07
-
전압분포의 선형특성을 이용한 Long-Channel Asymmetric Double-Gate MOSFET의 문턱전압 모델
전자공학회논문지-SD
2008 .02
-
게이트전압에 따른 나노구조 이중게이트 MOSFET의 터널링전류 변화
한국정보통신학회논문지
2007 .05
-
나노구조 이중게이트 MOSFET에서 터널링이 단채널효과에 미치는 영향
한국정보통신학회논문지
2006 .03
-
단 채널 MOSFET의 문턱전압 모델링과 수치계산 ( A Modeling and Numerical Simulation of Threshold Voltage for Short Channel MOSFET )
한국통신학회논문지
1990 .01
-
SOI MOSFET 의 단채널 효과를 고려한 문턱전압과 I - V 특성연구 ( A Study on Threshold Voltage I - V Characteristics by considering the Short - Channel Effect of SOL MOSFET )
전자공학회논문지-A
1994 .08
-
접합 및 무접합 이중게이트 MOSFET에 대한 문턱전압 이동 및 드레인 유도 장벽 감소 분석
전기전자재료학회논문지
2019 .01
-
유효 채널길이를 고려한 n형 단채널 MOSFET의 문턱전압 모형화 ( Threshold Voltage Modeling of an n-type Short Channel MOSFET Using the Effective Channel Length )
전자공학회논문지-T
1999 .06
-
이온 주입된 MOSFET의 문턱 전압의 해석적 모델 ( Analytical Threshold Voltage Model of Ion-Implanted MOSFET )
전자공학회지
1985 .11
-
SOI형 대칭 DG MOSFET의 문턱전압 도출에 대한 간편한 해석적 모델
전자공학회논문지-SD
2007 .07
-
이온 주입한 MOSFET에 대한 Threshold 전압의 모델링 MOSFET의 제작 및 평가 ( Threshold Voltage Modeling of Ion-Implanted MOSFET`s )
대한전자공학회 학술대회
1984 .01
-
이중게이트 MOSFET에서 채널도핑농도에 따른 문턱전압이하 특성 분석
한국정보통신학회논문지
2008 .10
-
채널 영역의 불균일 농도를 고려한 MOSFET 문턱전압 모델
전기학회논문지 C
2002 .11
-
채널 폭에 따른 MOSFET 문턱전압 및 전류 변동성에 관한 시뮬레이션 분석
전자공학회논문지
2018 .06
-
Si1-xGex p-MOSFET 단채널효과의 해석학적 모델
대한전자공학회 학술대회
1995 .12
-
초고속 동작을 위한 더블 게이트 MOSFET 특성 분석
한국정보통신학회논문지
2003 .04
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0