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학술저널
저자정보
정나래 김유진 윤지숙 박성민 (이화여자대학교) 신형순 (이화여자대학교)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 SD編 第46卷 第10號
발행연도
2009.10
수록면
16 - 24 (9page)

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Independent-Gate-Mode Double-Gate(IGM-DG) MOSFET는 기존의 DG-MOSFET의 3-terminal 소자구조가 갖고 있는 한계에서 벗어나 front-gate와 back-gate를 서로 다른 전압으로 구동하는 것이 가능하다. IGM-DG를 이용함으로써 4번째 단자의 자유도에 의해 회로설계가 간단해 질 뿐 아니라, 집적도를 향상시킬 수 있는 장점을 가진다. 본 논문에서는 IGM-DG MOSFET를 사용하여 RF 수신단을 설계하였고, HSPICE 시뮬레이션을 통해 회로성능을 검증하고 소자의 특성변화에 따른 최적의 회로설계 방향을 제시하였다.
#IGM-DG MOSFET #Double-Gate #LNA #Mixer #Oscillator #RF Receiver

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. Independent-Gate-Mode Double-Gate (IGM-DG) MOSFET 특성
Ⅲ. IGM-DG MOSFET를 이용한 수신기 설계
Ⅳ. 결론
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