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저자정보
Rajni Gautam (University of Delhi) Manoj Saxena (University of Delhi) R. S.Gupta (Maharaja Agrasen Institute of Technology) Mridula Gupta (University of Delhi)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.13 No.5
발행연도
2013.10
수록면
500 - 510 (11page)

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In this paper, a high-sensitivity low power photodetector using double gate (DG) MOSFET is proposed for the first time using change in subthreshold current under illumination as the sensitivity parameter. An analytical model for optically controlled double gate (DG) MOSFET under illumination is developed to demonstrate that it can be used as high sensitivity photodetector and simulation results are used to validate the analytical results. Sensitivity of the device is compared with conventional bulk MOSFET and results show that DG MOSFET has higher sensitivity over bulk MOSFET due to much lower dark current obtained in DG MOSFET because of its effective gate control. Impact of the silicon film thickness and gate stack engineering is also studied on sensitivity.

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. SIMULATION APPROACH
III. MODEL FORMULATION
IV. RESULT AND DISCUSSION
V. CONCLUSIONS
REFERENCES

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2014-560-002740994