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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전기학회 Journal of Electrical Engineering & Technology Journal of Electrical Engineering & Technology Vol.1 No.2
- 발행연도
- 2006.6
- 수록면
- 237 - 240 (4page)
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The feasibility of a midgap metal gate is investigated for a 32 ㎚ MOSFET for low power applications. The midgap metal gate MOSFET is found to deliver I<SUB>on</SUB> as high as a bandedge gate if a proper retrograde channel is used. An adequate design of the retrograde channel is essential to achieve the performance requirement given in the ITRS roadmap. A process simulation is also run to evaluate the feasibility of the necessary retrograde profile in manufacturing environments. Based on the simulated result, it is found that any subsequent thermal process should be tightly controlled to retain transistor performance, which is achieved using the retrograde doping profile. Also, the bandedge gate MOSFET is determined be more vulnerable to the subsequent thermal processes than the midgap gate MOSFET. A guideline for gate workfunction (Ф<SUB>m</SUB>) is suggested for the 32 ㎚ MOSFET.
목차
Abstract
1. Introduction
2. Simulation Methodology
3. Results and Discusison
4. Conclusion
Acknowledgements
References
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