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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.9
- 수록면
- 1,648 - 1,653 (6page)
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목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. DGMOSFET의 전류-전압 모델
Ⅲ. DGMOSFET의 전송특성분석
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (8)
참고문헌 신청
[학술지(정기간행물)] - / 2004. / Atomic-scale modeling of double gate MOSFETs using a tight- binding Green's function formalism 48 : 567 ~ 574
[학술지(정기간행물)] - / 2002. / 나노구조 Double Gate MOSFET의 핀치오프특성에 관한 연구 6 (7) : 1074 ~ 1078
[학술지(정기간행물)] - / 2002 / Side-Gate Design Optimization of 50㎚ MOSFETs with Electrically Induced Source/Drain 41 (4B) : 2345 ~ 2347
[학술지(정기간행물)] - / 2002 / Study of SILC and Interface Trap Generation Due to High Field Stressing and Its Operating Temperature Dependence in 2.2㎚ Gate Dielectrics 49 (4) : 699 ~ 701
[학술지(정기간행물)] - / 2001 / 70㎚ NMOSFET Fabrication with 12㎚ n+-p Junctions Using As2+ Low Energy Implantations 40 (4B) : 2607 ~ 2610
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