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자료유형
학술저널
저자정보
George James T (Thomas College) Saji Joseph (Thomas College) Vincent Mathew (Thomas College)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.10 No.2
발행연도
2010.6
수록면
130 - 133 (4page)

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This paper presents a study of the influence of variation of counter doping thickness on short channel effect in symmetric double-gate (DG) nano MOSFETs. Short channel effects are estimated from the computed values of current-voltage (I-V) characteristics. Two dimensional Quantum transport equations and Poisson equations are used to compute DG MOSFET characteristics. We found that the transconductance (g<SUB>m</SUB>) and the drain conductance (g<SUB>d</SUB>) increase with an increase in p-type counter-doping thickness (T<SUB>c</SUB>). Very high value of transconductance (g<SUB>m</SUB>= 38 mS/㎛) is observed at 2.2 ㎚ channel thickness. We have established that the threshold voltage of DG MOSFETs can be tuned by selecting the thickness of counter-doping in such device.
#Quantum transport #DGMOSFET #threshold voltage #transcoductance #DIBL

목차

Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. SIMULATION
Ⅲ. RESULTS AND DISCUSSION
Ⅳ. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (6)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - L. Chang / 2003 / Extremely scaled silicon nano-CMOS devices / Proc. IEEE 91 (11) : 1860 ~ 1873 google schola 2. [학술지(정기간행물)] - K. Kim / 2001 / Double-gate CMOS; Symmetrical-versus asymmetrical gate devices / IEEE Trans. Electron Devices 48 (2) : 294 ~ 299 google schola 3. [학술지(정기간행물)] - Minjian Liu / 2006 / Effect of Gate Overlap and Source/Drain Doping Gradient on 10-nm CMOS Performance / IEEE Trans. Electron Devices 53 (12) : 3146 ~ 3149 google schola 4. [학술지(정기간행물)] - Huaxin Lu / 2008 / Effect of body doping on double-gate MOSFET characteristics / Semicond. Sci. Techno 23 google schola 5. [학술지(정기간행물)] - Datta, S / 2000 / Nanoscale device simulation: The Green’s function method / Superlattices and Microstructures 28 : 253 ~ 278 google schola

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