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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.10 No.1
- 발행연도
- 2010.3
- 수록면
- 61 - 65 (5page)
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Threshold voltage is one of the most important factors in a device modeling. In this paper, analytical method to calculate threshold voltage for recessed channel (RC) MOSFETs is studied. If we know the fundamental parameter of device, such as radius, oxide thickness and doping concentration, threshold voltage can be obtained easily by using this model. The model predicts the threshold voltage which is the result of 2D numerical device simulation.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. RESULT AND DISCUSSION
Ⅲ. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES
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