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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2014.12
- 수록면
- 2,939 - 2,945 (7page)
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본 연구에서는 대칭 및 비대칭 산화막 구조를 가진 이중게이트(double gate; DG) MOSFET의 문턱전압 변화에 대하여 분석하였다. 상하단 동일한 산화막 두께을 갖는 대칭 DGMOSFET와 달리 비대칭 DGMOSFET는 상하단 게이트 산화막 두께를 다르게 제작할 수 있다. 그러므로 비대칭 DGMOSFET에서 상단과 하단게이트 산화막 두께의 크기 변화에 따라 대칭 DGMOSFET와 문턱전압을 비교하여 상하단 게이트 산화막 두께의 최적값에 대하여 고찰하고자 한다. 문턱전압을 구하기 위하여 포아송방정식에서 해석학적 전위분포모델을 유도하였으며 도핑분포함수는 가우스분포함수를 사용하였다. 문턱전압 모델을 이용하여 하단게이트 전압, 채널길이 및 채널두께 등에 따라 상하단게이트 산화막 두께가 문턱전압에 미치는 영향을 관찰하였다. 결과적으로 문턱전압은 상하단 게이트 산화막 두께에 따라 크게 변화하였으며 변화하는 경향은 하단게이트 전압, 채널길이 그리고 채널두께에 따라 매우 상이하게 나타나고 있다는 것을 알 수 있었다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 비대칭 DGMOSFET의 전위분포 및 문턱 전압 모델
Ⅲ. 산화막 두께에 따른 문턱전압 결과 고찰
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (9)
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2. [학술지(정기간행물)] - R. Vaddi / 2011 / Analytical modeling of subthreshold current and subthreshold swing of an underlap DGMOSFET with tied independent gate and symmetric asymmetric options / Microelectronics J 42 (5) : 798 ~ 807
3. [학술지(정기간행물)] - K. K. Nagarajan / 2014 / Investigation of tunable chracteristics of independently driven double gate finfets in analog/RF domain using TCAD simulations / J. of Compitational and Theoretical Nanosciences 11 (2) : 821 ~ 826
4. [학술지(정기간행물)] - N. Seoane / 2006 / Random Dopant, Line-Edge Roughness and Gate Workfunction Variability in a Nano InGaAs FinFETs / IEEE Trans. Electron Devices 61 (2) : 466 ~ 472
5. [학술지(정기간행물)] - J. P. Duarte / 2012 / A nonpiecewise model for long-channel junctionless cylindrical nanowire FETs / IEEE Electron Device Letters 33 (2) : 155 ~ 157
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