단극성 저항-스위칭 메모리 (RRAM)에서 접촉 면적에 따른 스위칭 특성의 변화

정성헌 ,  오정훈 ,  유경창 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2010 .06

Structural Effects on Unipolar Resistive Switching Behaviors in Oxide-Based RRAM for High-Density and Low-Power Applicaions

Kyung-Chang Ryoo ,  Sungjun Kim ,  Sunghun Jung 외 4명

ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications

2015 .06

Relationships of Resistive Switching Parameters of Resistive Random Access Memory (RRAM) for High Density and Low Power Application

Kyung-Chang Ryoo ,  Jeong-Hoon Oh ,  Sunghun Jung 외 11명

ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications

2010 .06

Unipolar and bipolar resistive switching of nonstoichiometric $TiO_x$ thin films

김완기 ,  이시우

한국재료학회 학술발표대회

2007 .01

고집적화, 저전력 적용을 위한 단극성 저항-스위치 메모리 (RRAM)에서 열처리를 통한 전류전달 메커니즘 분석

김성준 ,  유경창 ,  오정훈 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2011 .11

Nitride-Based RRAM Devices for Various Applications

Sungjun Kim ,  Sunghun Jung ,  Min-Hwi Kim 외 4명

ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications

2015 .06

대용량 메모리 어레이 시뮬레이션을 위한 양극성 저항 변화 메모리 회로 모델링

김민휘 ,  정성헌 ,  김성준 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2015 .06

Comparison Study of EMI and Switching Loss Reductions of Unipolar and Improved Limited Unipolar Switching Circuits

A.S ,  isawang ,  S.Thanasana 외 4명

제어로봇시스템학회 국제학술대회 논문집

2001 .10

Improvement of Reliability by Using Fluorine Doped Tin Oxide Electrode for Ta₂O₅ Based Transparent Resistive Switching Memory Devices

Do Yeon Lee ,  Soo Jung Baek ,  Sung Yeon Ryu 외 1명

신뢰성응용연구

2016 .03

A Finite Element Model for Bipolar Resistive Random Access Memory

Kwanyong Kim ,  Kwangseok Lee ,  Keun-Ho Lee 외 3명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2014 .06

Cr-SrTiO₃ 박막을 이용한 Si 기반 1D 형태 저항 변화 메모리의 전류-전압 특성 고찰

송민영 ,  김태근 ,  서유정 외 3명

전기전자재료학회논문지

2011 .01

Structural and resistance-switching properties of Eu_xO_y films applicable to RRAM devices

Sanghoon Kim ,  In ,  ok Hwang 외 4명

ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications

2008 .06

Behavioral Current-Voltage Model with Intermediate States for Unipolar Resistive Memories

Young Su Kim ,  Kyeong-Sik Min

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2013 .12

All-printed flexible RRAM device based on 2D Nanocomposite

Hafiz Mohammad Mutee u ,  Rehman ,  Woo Young Kim 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2020 .08

CMOS 호환 가능한 Si₃N₄ 기반 저항 변화 메모리의 점진적 저항 변화 특성 분석

김민휘 ,  김성준 ,  방수현 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2016 .06

Reset Current Reduction for RRAM with Si Bottom Electrode

Tae-Hyeon Kim ,  Sungjun Kim ,  Min-Hwi Kim 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2017 .01

CMOS Analog Integrate-and-fire Neuron Circuit for Driving Memristor based on RRAM

Min-Woo Kwon ,  Myung-Hyun Baek ,  Jungjin Pa 외 5명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2017 .04

Resistive switching memory device based on X-DNA

Wonkyu KANG ,  Kyungmin LEE ,  Hunsang JUNG 외 6명

한국생물공학회 학술대회

2017 .10

실리콘 산화막 기반의 저항변화메모리

김성준 ,  정성헌 ,  김형진 외 7명

대한전자공학회 학술대회

2015 .11

Resistive switching memory effect based on X shape DNA layer

Wonkyu KANG ,  Hunsang JUNG ,  Kyoungmin WOO 외 5명

한국생물공학회 학술대회

2018 .04