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단극성 저항-스위칭 메모리 (RRAM)에서 접촉 면적에 따른 스위칭 특성의 변화
대한전자공학회 학술대회
2010 .06
Structural Effects on Unipolar Resistive Switching Behaviors in Oxide-Based RRAM for High-Density and Low-Power Applicaions
ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications
2015 .06
고집적화, 저전력 적용을 위한 단극성 저항-스위치 메모리 (RRAM)에서 열처리를 통한 전류전달 메커니즘 분석
대한전자공학회 학술대회
2011 .11
Relationships of Resistive Switching Parameters of Resistive Random Access Memory (RRAM) for High Density and Low Power Application
ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications
2010 .06
Nitride-Based RRAM Devices for Various Applications
ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications
2015 .06
Unipolar and bipolar resistive switching of nonstoichiometric $TiO_x$ thin films
한국재료학회 학술발표대회
2007 .01
Cr-SrTiO₃ 박막을 이용한 Si 기반 1D 형태 저항 변화 메모리의 전류-전압 특성 고찰
전기전자재료학회논문지
2011 .01
대용량 메모리 어레이 시뮬레이션을 위한 양극성 저항 변화 메모리 회로 모델링
대한전자공학회 학술대회
2015 .06
A Finite Element Model for Bipolar Resistive Random Access Memory
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2014 .06
Structural and resistance-switching properties of EuxOy films applicable to RRAM devices
ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications
2008 .06
All-printed flexible RRAM device based on 2D Nanocomposite
대한전자공학회 학술대회
2020 .08
시뮬레이션을 통한 RRAM crossbar array의 구현과 read margin 및 전력 소모 개선 방안 연구
대한전자공학회 학술대회
2015 .06
Reset Current Reduction for RRAM with Si Bottom Electrode
대한전자공학회 학술대회
2017 .01
CMOS 호환 가능한 Si₃N₄ 기반 저항 변화 메모리의 점진적 저항 변화 특성 분석
대한전자공학회 학술대회
2016 .06
플라스마 화학기상증착을 사용한 실리콘질화막 기반 저항메모리의 양극성저항스위칭 특성에 대한 연구
대한전자공학회 학술대회
2013 .07
실리콘 산화막 기반의 저항변화메모리
대한전자공학회 학술대회
2015 .11
광대역 스위칭 네트워크용 스위칭 소자 구조 ( Switching Component for Broadband Switching Network )
대한전자공학회 학술대회
1987 .07
광대역 스위칭 네트워크용 스위칭 소자 설계 ( Switching Component for Broadband Switching Network )
한국통신학회 학술대회논문집
1987 .01
광대역 스위칭 네트워크용 스위칭 소자 설계 ( Switching Component for Broadband Switching Network )
특정연구 결과 발표회 논문집
1987 .01
멀티 레벨 셀 활용을 위한 터널링장벽이 삽입된 질화막 기반의 저항 변화 메모리의 점진적 저항변화 특성
대한전자공학회 학술대회
2016 .11
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