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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2016.6
- 수록면
- 70 - 73 (4page)
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In this work, we investigated gradual resistance switching operation of our fabricated silicon nitride-based bipolar RRAM. The phenomenon is considered to occur by insertion of additional SiO2 layer between Si3N4 switching layer and Si bottom electrode. In pulse operation, the effect of pulse condition such as pulse width, rise/fall time and paek voltage on gradual switching characteristics is investigated thoroughly.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 내용
Ⅲ. 결과와 분석
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (0)
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