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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
최진형 (인천대학교) 유종근 (인천대학교) 박종태 (인천대학교)
저널정보
한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 한국정보통신학회논문지 제18권 제3호
발행연도
2014.3
수록면
663 - 669 (7page)

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본 연구에서는 RRAM (Resistive Random Access Memory) 소자의 HfO₂열처리 온도와 두께에 따라 소자의 전기적 특성을 측정하였다. 제작한 소자는 상부전극이 Pt/Ti(150nm), 하부전극은 Pt(150nm), 산화층 HfO₂의 두께는 45nm와 70nm이고, 열처리를 하지 않은 소자와 500℃, 850℃ 로 열처리를 한 3 종류이다. 온도에 따라 소자의 전기적 성능으로 셋/리셋 전압, 저항변화를 측정하였다. 온도에 따른 기본특성 분석 실험 결과 온도가 증가함에 따라 셋 전압은 감소하고 리셋 전압은 증가하여 감지 여유 폭이 감소하였다. 열처리 온도가 850℃ 소자가 고온 특성이 가장 우수한 것을 보였다. HfO₂ 산화층의 두께 45nm 소자가 70nm 소자보다 감지 여유 폭이 크지만 결함으로 LRS(Low Resistive State)에서 저항이 큰 것으로 측정되었다. HfO₂ 산화층 증착 시 결함을 줄일 수 있는 공정조건을 설정하면 초박막의 RRAM 소자를 제작할 수 있을 것으로 기대된다.
#저항성 메모리 #열처리 온도 #HfO₂ 산화층 두께 #Resistive Random Access Memory #annealing temperature #HfO₂ oxide thickness

목차

요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 소자 제작
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
REFERENCES

참고문헌 (18)

참고문헌 신청
1. [학술대회논문] - H.-S. P. Wong / 2012 / Metal-oxide RRAM / Proceedings of the IEEE 100 (6) : 1951 ~ 1962 google schola 2. [학술지(정기간행물)] - Kuan-Chang Chang / 2013 / Characteristics and Mechanisms of Silicon-Oxide-Based Resistance Random Access Memory / IEEE Electron Device Lett 34 (3) : 399 ~ 401 google schola 3. [학술지(정기간행물)] - S. Yu / 2010 / A phenomenological model for the reset mechanism of metal oxide RRAM / IEEE Electron Device Lett 31 (12) : 1455 ~ 1457 google schola 4. [학술대회논문] - Frederick T. Chen / 2013 / Resistance Instabilities in a Filament-based Resistive Memory / IEEE international IRPS google schola 5. [학술지(정기간행물)] - Chung-Wei Hsu / 2013 / Bipolar Ni/TiO2/HfO2/Ni RRAM With Multilevel States and Self-Rectifying Characteristics / IEEE Electron Device Lett 34 (7) : 885 ~ 887 google schola

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