지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications ICEIC : 2010
- 발행연도
- 2010.6
- 수록면
- 11 - 13 (3page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (2)
- 이 논문의 후속연구가 궁금하신가요?
- 연관 학술논문 또는 학술발표를 통해 보다 발전된 연구결과를 확인하실 수 있습니다.
- 이 논문의 연구 히스토리 확인하기
초록· 키워드
오류제보하기
Relationships of resistive switching characteristics are investigated for NiO based Resistive Switching Random Access Memory (RRAM) by adapting cross-pointed structure. In order to evaluate high-density RRAM with low switching current, we have shown that there are important relationships between various analytical para ... 전체 초록 보기
목차
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Motivation and Device Characteristics
Ⅲ. Results and Discussions
Ⅳ. Conclusions
Acknowledgments
References
참고문헌 (0)
참고문헌 신청함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
Structural Effects on Unipolar Resistive Switching Behaviors in Oxide-Based RRAM for High-Density and Low-Power Applicaions
ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications
2015 .06
-
단극성 저항-스위칭 메모리 (RRAM)에서 접촉 면적에 따른 스위칭 특성의 변화
대한전자공학회 학술대회
2010 .06
-
단극성 저항-스위칭 메모리 (RRAM)에서 접촉 면적에 따른 스위칭 특성의 변화
대한전자공학회 학술대회
2010 .06
-
Unipolar and bipolar resistive switching of nonstoichiometric $TiO_x$ thin films
한국재료학회 학술발표대회
2007 .01
-
A Finite Element Model for Bipolar Resistive Random Access Memory
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2014 .06
-
Improvement of Reliability by Using Fluorine Doped Tin Oxide Electrode for Ta₂O5 Based Transparent Resistive Switching Memory Devices
신뢰성응용연구
2016 .03
-
Nitride-Based RRAM Devices for Various Applications
ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications
2015 .06
-
대용량 메모리 어레이 시뮬레이션을 위한 양극성 저항 변화 메모리 회로 모델링
대한전자공학회 학술대회
2015 .06
-
Reset Current Reduction for RRAM with Si Bottom Electrode
대한전자공학회 학술대회
2017 .01
-
Resistive switching memory device based on X-DNA
한국생물공학회 학술대회
2017 .10
-
Resistive switching memory effect based on X shape DNA layer
한국생물공학회 학술대회
2018 .04
-
Asymmetry Current Voltage Behaviors of Ni/HfO₂/TiN Memory Structures for Self-rectifying Resistive Switching Memory Using Quantum Tunneling Phenomenon
대한전자공학회 학술대회
2017 .01
-
실리콘 질화막 기반 저항 변화 메모리의 전압 의존적 저항 변화 특성 모델링
대한전자공학회 학술대회
2018 .06
-
실리콘 산화막 기반의 저항변화메모리
대한전자공학회 학술대회
2015 .11
-
Cr-SrTiO₃ 박막을 이용한 Si 기반 1D 형태 저항 변화 메모리의 전류-전압 특성 고찰
전기전자재료학회논문지
2011 .01
-
Resistive Switching Device Based on Biomaterial Elastin-Like Protein
한국생물공학회 학술대회
2017 .04
-
Resistive switching device based on bioengineered elastin-like protein
한국생물공학회 학술대회
2016 .10
-
Highly flexible resistive switching memory based on low-temperature sintered NiO nanocrystal film
대한전자공학회 학술대회
2019 .06
-
Pt 나노입자가 분산된 SiO<sub>2</sub> 박막의 저항-정전용량 관계
한국재료학회지
2015 .01
-
플라스마 화학기상증착을 사용한 실리콘질화막 기반 저항메모리의 양극성저항스위칭 특성에 대한 연구
대한전자공학회 학술대회
2013 .07
이 논문의 저자 정보
이 논문과 함께 이용한 논문
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2012-569-004076494