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논문 기본 정보

자료유형
학술대회자료
저자정보
조문성 (연세대학교) 윤홍일 (연세대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 대한전자공학회 2010년 하계종합학술대회
발행연도
2010.6
수록면
446 - 449 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2010

단위 셀 Reference 저항을 사용한 ReRAM용 Multi-Level Sense Amplifier
조문성 ,  윤홍일 대한전자공학회 학술대회 2010.06 학술대회자료
단위 셀 Reference 저항을 사용한 ReRAM용 Multi-Level Sense Amplifier
조문성 ,  윤홍일 대한전자공학회 학술대회 2010.06 학술대회자료

초록· 키워드

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A novel reference resistor scheme is proposed for ReRAM multi-level sense amplifier. Only one ReRAM cell is used as a reference resistor instead of four ReRAM cells. Compared to the conventional scheme, the implementations using the proposed scheme achieve 34% power savings without the increase of read time. Also, the proposed scheme enhances tolerance for the variation of voltage sources, capacitors, and cell resistance.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 설계 및 이론적 검증
Ⅳ. 시뮬레이션
Ⅴ. 결론
참고문헌

참고문헌 (0)

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2010-569-003169494