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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김동균 (고려대) 김태헌 (고려대학교) 윤태환 (고려대) 박정호 (고려대)
저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제65권 제8호
발행연도
2016.8
수록면
1,369 - 1,375 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2016

산화 그래핀을 절연층으로 사용한 유연한 ReRAM과 다층 절연층 ReRAM의 제작 방법 및 결과 비교
김동균 ,  김태헌 ,  윤태환 외 1명 전기학회논문지 2016.08 학술저널
산화 그래핀과 PVA 복합 절연층을 이용한 ReRAM 제작 및 특성
김동균 ,  김종태 ,  김태헌 외 2명 대한전기학회 학술대회 논문집 2016.07 학술대회자료
산화 그래핀과 PVA를 사용한 다층 절연층 ReRAM 소자 제작 및 특성 분석
김동균 전기전자공학과 2016.01 학위논문

초록· 키워드

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A rapid progress of the next-generation non-volatile memory device has been made in recent years. Metal/insulator/Metal multi-layer structure resistive RAM(ReRAM) has attracted a great deal of attention because it has advantages of simple fabrication, low cost, low power consumption, and low operating voltage. This paper describes the working principle of the ReRAM device, a review of fabrication techniques, and characteristics of flexible ReRAM devices using graphene oxide as an insulating layer and ReRAM devices using multi-layered insulator. The switching characteristics of the above ReRAM devices have been compared. The oxidized graphene could be employed as an insulator of next generation ReRAM devices.
#ReRAM #Graphene oxide #MIM #SET #RESET

목차

Abstract
1. 서론
2. 본론
3. 결론
References

참고문헌 (18)

참고문헌 신청
[학술지(정기간행물)] - Mohamed T. Ghoneim / 2015 / Review on Physically Flexible Nonvolatile Memory for Internet of Everything Electronics / Electronics 4 : 424 ~ 479 google schola [학술지(정기간행물)] - H.-S. Philip Wong / 2012 / Metal-Oxide RRAM / Proceedings of the IEEE 100 (6) : 1951 ~ 1970 google schola [학술지(정기간행물)] - Yoshihisa Fujisaki / 2013 / Review of Emerging New Solid-State Non-Volatile Memories / Japanese Journal of Applied Physics 52 (040001) google schola [학술지(정기간행물)] - Nicola R. S. Farley / 2004 / Sol-gel formation od ordered nanostructured doped ZnO film / Journal of Materials Chemistry 14 : 1087 ~ 1092 google schola [학술지(정기간행물)] - Chun-Chieh Lin / 2014 / Graphene-oxide-based resistive switching device for flexible nonvolatile memory application / Japanese Journal of Applied Physics 53 : 05FD03-1 ~ 05FD03-4 google schola

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