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저자정보
고서연 (가천대학교) 이재윤 (가천대학교) 이재연 (SK 하이닉스) 김수길 (SK 하이닉스) 조성재 (가천대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2018년도 대한전자공학회 하계종합학술대회
발행연도
2018.6
수록면
215 - 218 (4page)

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In this work, Ni/GeO<SUB>x</SUB>/p<SUP>+</SUP>-Si resistive switching memory (ReRAM) with full Si CMOS processing compatibility has been fabricated and characterized. As the switching layer material, thermally-grown GeOx was prepared from Ge deposited on the Si substrate. The bottom electrode was formed by heavily doped boron by ion implantation. The fabricated ReRAM cell showed current ratio higher than 10<SUP>3</SUP> even with the compliance current limit. Furthermore, DC compact modeling has been carried out by applying direct tunneling, Poole-Frenkel emission, and trap-to-trap hopping as the conduction mechanisms in the small-bias regime under high-resistance state (HRS) condition, large-bias regime under HRS condition, and low-resistance state (LRS), respectively. By more delicately employing conduction mechanisms in establishing the variable resistance equations in the compact model, model accuracy has been improved with errors below 10% over the entire voltage range.

목차

Abstract
I. 서론
II. 본론
III. 결론
참고문헌

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