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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2014.1
- 수록면
- 81 - 84 (4page)
이용수
초록· 키워드
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Ag/HfO2/Pt 구조의 ReRAM 소자에서의 Microwave irradiation 처리에 의한 bipolar resistive switching 특성 변화를 확인하였다. MWI 처리는 낮은 온도에서 transition layer 인 HfO2 박막을 형성 한 후에 실시되었다. as-deposit HfO2 ReRAM 소자와 비교하였을 때, 동작전압과 상태별 저항값의 신뢰성이 향상된 것을 확인하였다. 또한, 100회의 DC endurance test, 104 sec 이상의 retention test 를 통해 신뢰성 있는 메모리 특성을 확인하였다.
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