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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2012.1
- 수록면
- 182 - 186 (5page)
이용수
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고체전해질 박막내의 금속성 전도경로를 형성시키는 Resistance-change Random Access Memory(ReRAM)은 차세대 비휘발성 메모리로써 유력하게 대두되고 있는 소자중 하나이다. 이는 고체전해질 내에 금속의 전기화학적 방법을 이용하여 전도경로를 형성 및 소멸시켜 스위칭 동작을 하게 되는데, 구동의 저전력, 안정성, 공정의 단순함 등의 장점이 있다. 본 연구는 Ag가 도핑된 Ge25Se75 고체전해질을 사용한 ReRAM 소자에서 전계에 의한 set 동작에서의 변화를 알아보기 위해 back-gate planar type의 MIM 구조로 제작하여 그 전기적 스위칭 특성을 알아보았다.
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