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This work discusses a two-step electroless plating method for preparing a Pt thin film on p-type InGaAs substrate, which is defined as Pt Ⅰ and Pt Ⅱ. A thin Pt catalytic layer formed in Pt I bath on the substrate at 65℃. In the following Pt II bath, thick Pt films then easily grew on the sensitized layer on InGaAs previously formed in the Pt I bath. The growth of Pt film is strongly influenced by the plating temperature and pH value. To study the plating time effect, the plating of Pt Ⅱ bath is 5 to 40 min at 80℃ after using Pt Ⅰ bath at 50~65℃ for 5min of pH 8~13. Pt film for ohmic contact to p-type InGaAs was successfully prepared by using the two-step Pt electroless plating.
목차
Abstract
1. Introduction
2. Experimental
3. Results and Discussion
4. Conclusions
Acknowledgements
References
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