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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications ICEIC : 2008
- 발행연도
- 2008.6
- 수록면
- 356 - 357 (2page)
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We report a metallization scheme of high-reflectance, low-resistance ohmic contact on p-type GaN. The high reflectance of 84 % at the 460 ㎚ wavelength and the specific contact resistivity as low as 8.59 × 10??㎠ were obtained from MgAl-alloy(50 A )/ Ag(3000 A) / Ru(500 A) after annealing at 450 ℃ in air. ... 전체 초록 보기
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