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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제56권 제10호
발행연도
2007.10
수록면
1,786 - 1,790 (5page)

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The (SrCa)TiO₃(SCT) thin films are deposited on Pt-coated electrode (Pt/TiN/SiO₂/Si) using RF sputtering method at various deposition temperature. The dielectric constant of SCT thin films were increased with the increase of deposition temperature, and changed almost linearly in temperature ranges of -80~+90[℃]. Also, SCT thin films was observed the phenomena of dielectric relaxation with the increase of frequency, and the relaxation frequency was observed above 200[㎑]. V-I characteristics of SCT thin films show the increasing leakage current with the increases of deposition temperature. The conduction mechanism of the SCT thin films observed in the temperature range of 25~100[℃] can be divided into three characteristic regions with different mechanism by the increasing current. The region 1 below 0.8[MV/㎝] shows the ohmic conduction. The region 2 can be explained by the Child's law, and the region 3 is dominated by the tunneling effect.
#Thin Film #Deposition Temperature #Leakage Current

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 실험결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
저자소개

참고문헌 (10)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - / 1982. / Dielectric Properties of Ceramics in the system TiO3-Bi2O3.3TiO2 and Their Applications in a High-Voltage Capacitor 65 : 554560 ~ google schola 2. [학술지(정기간행물)] - / 2002 / Dependence of dielectric and ferroelectric behaviors on growth orientation in epitaxial BaTiO3/SrTiO3 superlattices 66 (3-4) : 397 ~ 401 google schola 3. [학술지(정기간행물)] - / 2001 / A Study on the Structural and Dielectric Properties of (Ba,Sr,Ca)TiO3 with Sintering Conditions 14 (6) : 460 ~ 465 google schola 4. [학술지(정기간행물)] - / 2005 / Fabrication and Dielectric Properties of SCT Thin Film by RF Sputtering Method : 600 ~ 603 google schola 5. [학술지(정기간행물)] - / 2001 / Thin Film Properties by Facing Targets Sputtering System : 410 ~ 414 google schola

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