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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2012.1
- 수록면
- 862 - 866 (5page)
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본 연구에서는 AlGaN/GaN 이종접합 구조위에 Al의 열산화에 의한 Al2O3 패시베이션 공정을 수행하고 그 효과를 확인하였다. 열산화 방법을 이용한 Al2O3 패시베이션 결과, AlGaN/GaN 계면의 이차원전자가스층(2DEG) 채널의 면저항을 463 ohm/□에서 417 ohm/□로 감소시키는 것을 확인하였다. 또한 Al2O3 패시베이션한 소자와 패시베이션 하지 않은 소자에 대해 900℃ 온도로 고온열처리 하였을 때, 패시베이션 하지 않은 소자는 채널 면저항과 절연영역 누설전류가 열처리 후 각각 535 ohm/☐에서 928 ohm/☐로, 27 nA/mm 에서 192.5 μA/mm 로 크게 증가하였다. 반면 Al2O3 패시베이션한 소자는 열처리 후 채널 면저항이 399 ohm/☐에서 416 ohm/☐로, 절연영역 누설전류는 5.5 nA/mm에서 15.5 nA/mm 로 특성저하가 작게 나타나는 것을 확인하였다.
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