실리콘배향에 따른 산화 속도 영향과 표면 Morphology

전법주 ,  오인환 ,  임태훈 외 1명

공업화학

1997 .01

직접 접합된 Si-Si, Si-$SiO_2$/Si기판쌍의 접합 계면에 관한 연구

주병권 ,  방준호 ,  이윤희 외 2명

한국재료학회지

1994 .01

Si-SiO₂系의 問題点과 研究動向

成英權

전기의세계

1985 .06

플라즈마 산화방법을 이용한 질소가 첨가된 실리콘 산화막의 제조와 산화막 내의 질소가 박막트랜지스터의 특성에 미치는 영향

김보현 ,  이승렬 ,  안경민 외 3명

한국재료학회지

2009 .01

전기로를 이용한 $Si∥SiO_2/Si_3N_4∥Si$기판쌍의 직접접합

이상현 ,  이상돈 ,  서태윤 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

2001 .01

Si(100)의 얇은 산화막을 통한 Co$Si_{2}$형성에 관한 연구

신영철 ,  전형탁

한국재료학회 학술발표대회

1997 .01

상부산화 조건에 따른 N/O ( SiO2/Si3N4 ) 구조막의 신뢰성 평가 ( Reliability of N/O ( SiO2/Si3N4 ) Films According to Top Oxidation Condition )

구경완 ,  홍봉식

전자공학회논문지-A

1992 .09

다결정 Si/SiO₂ ∥ Si 적층구조에서 SiO₂층의 두께에 따른 유전특성의 변화

송오성 ,  이영민 ,  이진우

한국표면공학회지

2000 .08

D. C. 전압 인가에 의한 Pd-SnO_x-Si₃N₄-SiO₂-Si-Al 캐패시터의 산소흡착/탈착 반응

이재홍 ,  이주헌 ,  김창교

대한전기학회 학술대회 논문집

1997 .07

SiO2-Si 구조의 계면준위 측정에 미치는 빛의 영향 ( The Effect of Illumination on Surface State Density measurement of SiO2-Si Structure )

민병훈 ,  이정한

대한전자공학회 학술대회

1984 .01

인이 주입된 poly-Si/SiO2/Si 기판에서 텅스텐 실리사이드의 형성에 관한 연구 ( Study on Formation of W-Silicide in the Doped-Phosphorus poly-Si/SiO2/Si-Substrate )

정회환 ,  주병권 ,  오명환 외 1명

전자공학회논문지-A

1996 .03

이온주입시킨 Si-SiO2 계면에서의 전자상태 계산 ( Self-consistent Calculation of Electronic States at ion-implanted Si-SiO2 interface )

김충원 ,  공준진 ,  박성호 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1987 .11

선형열처리를 이용한 Si(100)/Si$_3$N$_4$∥Si (100) 기판쌍의 직접접합

이영민 ,  송오성 ,  이상연

한국재료학회지

2001 .01

선형열처리를 이용한 Si(100)/Si₃N₄∥Si(100)기판쌍의 직접접합

이영민 ,  송오성 ,  이상현

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2000 .11

Si 기판 세정 조건에 따른 산화막의 특성 연구

전형탁 ,  강응렬 ,  조윤성

한국재료학회 학술발표대회

1994 .01

AL / ZnO / Si3N4 / SiO2 / Si 구조의 전기적 특성 및 가스 감지 효과 ( Electrical Property and Gas Sensing Effect of Al / ZnO / Si3N4 / SiO2 / Si Structure )

최시돈 ,  이종현 ,  이덕동 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1983 .01