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목차
Abstract
1. Introduction
2. Experimentals
3. Results and Discussion
4. Conclusion
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정전류 Stress 하에서의 얇은 산화막의 TDDB 특성 ( The TDDB Characteristics of Thin Si02 under Constant Stress Condition )
대한전자공학회 학술대회
1988 .11
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열처리 효과가 질소이온주입후에 성장시킨 산화막의 QBD 특성에 미치는 영향 ( Annealing Effects on QBD of Ultra-Thin Gate Oxide Grown on Nitrogen Implanted Silicon )
전자공학회논문지-SD
2000 .03
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얇은 산화막의 광 조사후 TDDB특성에 관한 연구 ( The reserch on the TDDB of thin film after the irradiation )
대한전자공학회 학술대회
1989 .11
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스트레스전압 극성에 따른 얇은 산화막의 TDDB 특성 ( The TDDB Characteristics of Thin SiO2 with Stress Voltage Polarity )
전자공학회논문지
1989 .05
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DEA와 QBD를 이용한 고객만족전략에 관한 연구
한국정보시스템학회 춘계 학술발표논문집
2004 .01
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The Impact of TDDB Failure on Nanoscale CMOS Digital Circuits
한국산업정보학회논문지
2012 .09
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의약품 연구 개발 프로세스의 품질 향상을 위한 표준화 기술 활용 및 Customized QbD 플랫폼 연구
대한산업공학회 추계학술대회 논문집
2015 .11
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얇은 절연막의 TDDB 분석과 전기적 특성
산업기술연구 : 강원대학교 산업기술연구소
1988 .01
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N/O(Si₃N₄/SiO₂) 유전막의 TDDB 특성에 미치는 상부산화조건의 영향
대한전자공학회 학술대회
1990 .11
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N / O ( Si3N4 / SiO2 ) 유전막의 Tddb 특성에 미치는 상부산화조건의 영향 ( Effects of Top OxIdation Condition on Tddb Characteristics of N / O ( Si3N4 / SiO2 ) Dielectric Films )
대한전자공학회 학술대회
1990 .11
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RF 충전 후방산란 인지 라디오 네트워크를 위한 QBD 기반 에너지 모델
한국통신학회 학술대회논문집
2018 .06
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의약품 설계기반 품질시스템(QbD)을 위한 Design Space 도출 및 DoE 적용 방법
대한산업공학회 추계학술대회 논문집
2014 .11
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Reliability Analysis Framework for Time Dependent Dielectric Breakdown
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2020 .02
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N2O 질화산화막의 성장 방법 및 면적에 따른 TDDB 특성
대한전자공학회 학술대회
1994 .01
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HK/MGFET’s 의 Accumulation TDDB Modeling
한국정밀공학회 학술발표대회 논문집
2016 .05
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N2O 질화산화막을 갖는 MOS 캐패시터의 TDDB 특성 ( TDDB Properties of MOS Capacitors with N2O Oxynitride Layer )
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
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Analysis of Time Dependent Dielectric Breakdown in Nanoscale CMOS Circuits
대한전자공학회 ISOCC
2011 .11
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온도 의존성을 반영한 개선된 TDDB 수명 예측 모델 개발
대한전자공학회 학술대회
2019 .06
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얇은 산화막의 TDDB특성과 막내의 결함과의 상관성
대한전기학회 학술대회 논문집
1988 .11
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N2O 질화산화막을 갖는 MOS 캐패시터의 TDDB 특성
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
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