Ti-실리사이드 형성에 관한 연구 ( A Study on the Ti-Silicide Formation )

김학균 ,  주승기

대한전자공학회 학술대회

1987 .07

Composite Target으로 증착된 Ti-Silicide의 형성 ( The Formation of Ti-Silicide Deposited With Composite Target )

강성건 ,  송영식 ,  황유상 외 7명

대한전자공학회 학술대회

1991 .11

$Li_2$형$(Ai, Cr)_3$/Ti기 2상 금속간화합물의 소성거동

박정용 ,  오명훈 ,  위당문

한국재료학회지

1994 .01

Al-1%Si 과 Ti-Silicide의 반응성에 관한 연구 ( A Study on the Reaction of Al-1%Si with Ti-Silicide )

송영식 ,  백수현 ,  황유상 외 6명

대한전자공학회 학술대회

1992 .01

급속 열처리 방식에 의한 Ti-실리사이드의 형성 연구 ( Formation of Ti-silicides by Rapid Thermal Annealing )

엄우용 ,  장호정 ,  장지근 외 1명

전자공학회논문지-A

1996 .08

Poly-Si에 도핑공정변화에 따른 Ti-Silicides 형성반응에 관한 연구 ( The formation of Ti-Silicides with the change of doping process on the poly-Si )

류연수 ,  최진석 ,  백수현

대한전자공학회 학술대회

1988 .11

Si 기판에 주입된 BF2불순물이 Ti Silicides 형성에 미치는 영향 ( Effects of Implanted BF2 on the Formation of Ti-Silicides )

최석훈 ,  최진석 ,  백수현

전자공학회논문지

1990 .12

Ti Self-Aligned Silicide를 이용한 Contact에서의 전기적 특성

李鐵眞 ,  許允宗 ,  成英權

전기학회논문지

1992 .02

Cu/Ti/SiO/Si 구조에서 Ti 층 두께가 Ti 반응에 미치는 효과

홍성진 ,  이재갑

한국재료학회지

2002 .01

고속열확산에 의한 얕은접합 형성과 Ti- 실리사이드화 된 n⁺-p 다이오드 특성분석

崔度永 ,  李晟旭 ,  朱政奎 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

Ta층을 사용한 Ti-silicide의 응집화 방지에 관한 연구

강성건 ,  최진석 ,  황유상 외 3명

한국재료학회 학술발표대회

1992 .01

Poly-Si에 이온 지입된 dopants가 Ti-Silicides 형성에 미치는 영향 ( Effects of dopants introduced into the poly-Si on the formation of Ti-Silicides )

류연수 ,  최진석 ,  백수현

대한전자공학회 학술대회

1989 .07

급속열처리에 의한 Ti-실리사이드와 접합의 동시형성에 관한 연구 ( A Study on the Simultaneous Formation of a Ti-Silicide and a Junction by the RTA Process )

민경익 ,  주승기

전자공학회논문지-A

1991 .03

Ti 및 Ti계 세라믹스에 의한 Al합금의 표면복합합금화 ( Formation of Ti and Ti ceramics composite layer on aluminium alloy )

임병수 ,  문정훈 ,  서창제 외 2명

대한용접·접합학회지

1995 .03

Thermal Instability of ( Ti , Co ) Silicides by High Temperature Annealing

엄우용 ,  장호정 ,  장지근 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

고속열확산에 의한 얕은 접합 형성과 Ti-실리사이드화 된 n+ -P 다이오드 특성분석 ( The formation of the Shallow Junction by Rapid Thermal Diffusion and characteristic Analysis for n+ -p Diode with Ti-silicide )

최도영 ,  이성욱 ,  주정규 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

Ti가 함유된 스테인리스강에서 Ti, Ti/Cr코팅표면과 플라즈마질화표면의 부식특성

최한철 ,  이승훈 ,  김관휴

한국표면공학회지

2002 .12

고속 열 확산에 의한 얕은 접합 형성과 Ti - 실리사이드화된 n - p 다이오드 특성 분석 ( The Formation of the Shallow Junction by RTD Characteristic Analysis for n - p Diode with Ti - silicide )

최도영 ,  이성욱 ,  주정규 외 3명

전자공학회논문지-A

1994 .08

Formation and Charaterization of Co-silicides from Co and Co / Ti Bilayer

엄우용 ,  장호정 ,  장지근 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01