TCAD Prediction of Latchup Charateristics in Retrograde / BILLI / BL CMOS Well Structures

김종민 ,  김종관 ,  양광선 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

Investigation of BILLI CMOS Retrograde Well with a Deep Blanket Buried Layer for Latch-Up Robust and High Yield Well Structure

Jong Kwan Kim ,  Seong Hyung Pa ,  k 외 5명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1997 .01

MeV 이온주입에 의해 형성된 Retrograde Triple well에서 발생하는 결함들의 상호작용

류한권 ,  김대영 ,  노재상 외 2명

한국재료학회 학술발표대회

1999 .01

A Study on the Defects in the Fabrication of CMOS Retrograde Well Including A Buried Layer Using MeV Ion Implantation

장윤택 ,  허태훈 ,  유승한 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

MeV 이온 주입 매립층을 갖는 Retrograde Twin Well의 유기결합에 관한 연구 ( Defects Study of Retrograde Twin Well CMOS that has NeV Ion Implanted Burried Layer )

김종관 ,  박성형 ,  허윤준 외 7명

대한전자공학회 워크샵

1997 .01

MeV 이온빔 분석 기술

김태곤 ,  송종한

고분자 과학과 기술

2003 .02

MeV 이온주입된 실리콘의 열처리시 불순물과 이차결함간의 상호작용

장윤택 ,  노재상

한국재료학회 학술발표대회

1997 .01

MeV 이온주입에 의한 $P^{+}$ Buried Layer 형성시 발생하는 결함에 관한 연구

유승한 ,  장윤택 ,  노재상

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

고에너지 이온주입에 의한 Retrograde Triple well 형성에 관한 연구

김은석 ,  김동민 ,  노재상

한국재료학회 학술발표대회

2003 .01

MeV $B^+$ 이온주입에 의한 Self-Gettering 효과

조남훈 ,  허태훈 ,  노재상

한국재료학회 학술발표대회

1996 .01

실리콘에 MeV로 이온주입된 As 와 Sb의 profile과 열처리에의한 이온의 거동에 관한 연구 ( A Study of Profiles and annealing behavior of As and Sb by MeV implantation in silicon )

정원채

전자공학회논문지-D

1998 .03

암 치료용 6MeV X-band 가속기 설계

신동원 ,  전석기 ,  김정일 외 5명

대한전기학회 학술대회 논문집

2014 .02

Investigation of the Cause of the Leakage Current in the Fabrication of CMOS Retrograde Well Including a Buried Layer

Tae Hoon Huh ,  Yoon Taek Jang ,  Jae Sang Ro

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

CMOS Well의 Ion Implantation 공정조건에 따른 Latchup 면역성 모의실험

김종관 ,  이진우 ,  김영훈 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

1996 .07

Latchup Characterization of Advanced CMOS Well Structure

Jong Kwan Kim ,  Chang Duk Kim ,  Young Hoon Kim 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

Optimization of the Profiles in MeV Implanted Silicon Through the Modification of Electronic Stopping Power

정원채

Transactions on Electrical and Electronic Materials

2013 .01

1 MeV 고에너지로 붕소 ( Boron ) 와 인 ( Phosphorus ) 을 이온주입 시 급속 열처리에 따른 도핑 프로파일 ( A Study on Boron and Phosphorus Doping Profile by RTA using 1MeV High Energy Ion Implantation )

강희원 ,  전현성 ,  노병규 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1998 .07

1MeV 고에너지로 붕소(Boron)와 인(Phosphorus)을 이온주입 시 급속 열처리에 따른 도핑 프로파일

강희원 ,  전현성 ,  노병규 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1998 .06

1 MeV argon 이온주입에의해 유기된 결함 및 회복기구의 XTEM 분석 ( XTEM Study of 1 MeV Ion Implantation Induced Defects in Si and Their Annealing Behavior )

김광일 ,  권영규 ,  배영호 외 4명

전자공학회논문지-A

1993 .08

고에너지(MeV) 이온빔을 이용한 PVDF와 PS 개질

이상윤 ,  김보현 ,  뱍영환 외 2명

한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집

2000 .04