MeV 이온주입에 의한 매입층을 갖는 BILLI retrograde well과 latchup 특성

김종관 ,  김인수 ,  김영호 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

1997 .07

Latchup Characterization of Advanced CMOS Well Structure

Jong Kwan Kim ,  Chang Duk Kim ,  Young Hoon Kim 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

Investigation of BILLI CMOS Retrograde Well with a Deep Blanket Buried Layer for Latch-Up Robust and High Yield Well Structure

Jong Kwan Kim ,  Seong Hyung Pa ,  k 외 5명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1997 .01

CMOS 소자에서 과도방사선펄스에 의한 Dose-Rate Latchup 모의실험

이현진 ,  이남호 ,  황영관

대한전자공학회 학술대회

2008 .06

Latchup 방지를 위한 Schottky-Clamped CMOS

오춘식 ,  김충기 ,  경종민

대한전자공학회 학술대회

1985 .06

Latchup 방지를 위한 Schottky-Clamped CMOS ( A New Schottky-Clamped CMOS for Latchup Prevention )

오춘식 ,  김충기 ,  경종민

대한전자공학회 학술대회

1985 .01

CMOS Well의 Ion Implantation 공정조건에 따른 Latchup 면역성 모의실험

김종관 ,  이진우 ,  김영훈 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

1996 .07

고준위 펄스방사선에 의한 전자소자 Latchup의 발생시험 및 분석

이남호 ,  황영관 ,  정상훈 외 1명

한국정보통신학회논문지

2014 .12

KAIST에서의 반도체 소자에 대한 TCAD 연구 ( TCAD Research )

이귀로

대한전자공학회 기타 간행물

1992 .01

CMOS 소자에서 과도방사선펄스에 의한 Dose-Rate Latchup 모의실험

이현진 ,  이남호 ,  황영관

대한전자공학회 학술대회

2008 .06

TCAD : CHALLENGED TO VIRTUAL PROCESS

Shinji Odanaka ,  Hi ,  oyuki Umimoto 외 8명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1995 .01

Calibration Methodology for TCAD System

이준하 ,  이홍주

한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회

2003 .01

A TCAD Environment for Process and Process and Device Engineering

H. Pimingsto ,  fe ,  S. Halama 외 2명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1991 .01

New Approach for Transient Radiation SPICE Model of CMOS Circuit

Sang-Hun Jeong ,  Nam-Ho Lee ,  Jong-Yeol Lee 외 1명

Journal of Electrical Engineering & Technology

2013 .09

Investigation of the Cause of the Leakage Current in the Fabrication of CMOS Retrograde Well Including a Buried Layer

Tae Hoon Huh ,  Yoon Taek Jang ,  Jae Sang Ro

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

TCAD 시뮬레이션을 통한 tunneling field-effect transistor의 전기적 특성 확인

우솔아 ,  김민석 ,  김윤중 외 3명

대한전기학회 학술대회 논문집

2016 .10

TCAD 시뮬레이션을 이용한 다양한 변수에 따른 4H-SiC Trench MOSFET 특성 변화 연구

정지훈 ,  이호준

대한전기학회 학술대회 논문집

2018 .10

TCAD 시뮬레이션을 이용한 다양한 변화에 따른 4H-SiC Trench MOSFET 특성 변화 연구

정지훈 ,  차주홍 ,  이호준

대한전기학회 학술대회 논문집

2019 .07

Design of a Latchup-Free ESD Power Clamp for Smart Power ICs

Jae-Young Pa ,  k ,  Dong-Jun Kim 외 2명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2008 .09

정전기 보호를 위한 n형 SCR 소자의 래치업 특성

서용진 ,  김길호 ,  이우선

대한전기학회 학술대회 논문집

2006 .07