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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.10
- 수록면
- 105 - 106 (2page)
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The ferroelectric materials of the PZT, SBT attracted much attention for application to ferroelectric random access memory (PRAM) devices. Through the last decade, the lead zircon ate titanate (PZT) is one of the most attractive perovskite-tvpe materials for the ferroelectric products due to its higher remanant polarization and the ability to withstand higher coercive fields. FRAM has been currently receiving increasing attention for one of future memory devices due to its ideal memory properties such as non-volatility, high charge storage, and faster switching operations. In this study, we first applied the damascene process using chemical mechanical polishing (C ... 전체 초록 보기
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