Field Plate 끝단에서 발생하는 표면 항복 전압 계산

邊大錫 ,  韓民九 ,  崔然益

전기학회논문지

1995 .05

Analysis of the Breakdown Voltage in P⁺N Junction with Field Plate for Optimum Design

Kyoung Yang ,  Dae-Seok Byeon ,  Min-Koo Han 외 2명

JOURNAL OF KIEE

1996 .03

게이트 필드플레이트 구조 최적화를 통한 AlGaN/GaN HEMT의 항복전압 특성 향상

손성훈 ,  김태근

전자공학회논문지-SD

2011 .05

소자파라미터에 따른 DGMOSFET의 항복전압분석

정학기

한국정보통신학회논문지

2013 .02

필드 플레이트 구조에 대한 GaN FET 항복전압특성 영향

장우진 ,  김정진 ,  배성범 외 3명

대한전자공학회 학술대회

2015 .06

이중게이트 MOSFET의 채널구조에 따른 항복전압 변화

정학기

한국정보통신학회논문지

2013 .03

DGMOSFET의 전도중심과 항복전압의 관계

정학기

한국정보통신학회논문지

2013 .04

AlGaN/GaN HEMT의 항복전압 특성 향상을 위한 Gate field plate 구조 최적화

손성훈 ,  정강민 ,  김수진 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

2010 .11

필드 플레이트가 설계된 다이아몬드 쇼트키 장벽 다이오드

장해녕 ,  강동원 ,  하민우

전기학회논문지

2017 .04

실리콘 나노와이어 N-채널 GAA MOSFET의 항복특성

류인상 ,  김보미 ,  이예린 외 1명

한국정보통신학회논문지

2016 .09

Elastic bending analysis of irregular-shaped plates

Sakiyama ,  T. ,  Huang 외 1명

Structural engineering and mechanics : An international journal

1999 .01

온도를 고려한 GaAs p⁺n 접합의 해석적 항복 전압

鄭龍成

전기학회논문지 C

1999 .04

이차원 전위분포모델을 이용한 이중게이트 MOSFET의 항복전압 분석

정학기

한국정보통신학회논문지

2013 .05

전극 구조에 따른 파괴전압 분석

이상군 ,  윤성호 ,  안범 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

2020 .07

10 nm 이하 DGMOSFET의 항복전압과 채널도핑농도의 관계

정학기

한국정보통신학회논문지

2017 .06

실리콘 전력 MOSFET의 온도 관련 항복 전압과 ON 저항을 위한 해석적 표현

정용성

전자공학회논문지-SD

2003 .05

FIELD LIMITING RING WITH IMPROVED CORNER BREAKDOWN

Sangyong Lee ,  Younghwan Lho

ICPE(ISPE)논문집

1998 .10

재산화 질화 산화막의 전하 생성과 항복에 대한 시간 의존성

이정석 ,  이용재

한국정보통신학회논문지

1998 .09

InP 다이오드에서 항복전압의 해석적 모델

정용성

전자공학회논문지-IE

2007 .03

액체-고체 경계면 상의 표면전하를 이용한 절연유체 내 유한요소해석

최진현 ,  장경훈 ,  Takao Akahoshi 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

2016 .10