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Abstract
1. 서론
2. 제안된 소자의 구조 및 제작
3. 실험 결과 및 토론
4. 결론
참고문헌
저자소개
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Ni/Au 쇼트키 접합의 산화를 통해 AIGaN/GaN heterostructure 웨이퍼 위에 제작한 쇼트키 장벽 다이오드의 누설전류 억제
대한전기학회 학술대회 논문집
2005 .11
OPTICAL CONSTANTS OF AIGaN GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
AlGaN/InGaN HEMTs의 고성능 초고주파 전류 특성
한국전자파학회논문지
2004 .08
Schottky 접촉을 이용한 Pt/AIGaN 자외선 수광소자의 설계 및 특성
대한전자공학회 학술대회
2002 .11
고전력 GaN 트랜지스터의 접합부 열저항 분석
대한기계학회 춘추학술대회
2018 .04
GaN Power SIT의 설계변수에 따른 전기적 특성변화에 관한 연구
전기전자재료학회논문지
2010 .01
필드 플레이트 구조에 대한 GaN FET 항복전압특성 영향
대한전자공학회 학술대회
2015 .06
Characteristics of Be doped GaN growth using single GaN precursor
한국재료학회 학술발표대회
2005 .01
GaN 박막의 활용을 위한 Metal/GaN 접촉과 GaN MESFET의 전기적 특성에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1999 .07
이중 케이트 AlGaN/GaN 고 전자 이동도 트랜지스터의 누설 전류 메커니즘과 SiO₂ 패시베이션 효과 분석
대한전기학회 학술대회 논문집
2006 .10
항복전압 향상을 위해 새로운 구조를 적용한 AlGaN/GaN HEMTs
대한전기학회 학술대회 논문집
2009 .07
사다리꼴 게이트 구조를 갖는 고내압 AlGaN/GaN HEMT
전자공학회논문지-SD
2009 .04
MgO/GaN MOSFETs의 dc 특성 및 Gate Breakdown 특성 Simulation
한국재료학회 학술발표대회
2003 .01
고전압 AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor의 Source Field Plate 설계
대한전기학회 학술대회 논문집
2016 .07
Characterization of GaN / AIN and GaN / GaN Two-Step Growth by MBE
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
GaN Power FET 모델링에 관한 연구
전기전자재료학회논문지
2009 .01
GaN 분말의 승화에 의한 Bulk GaN 성장
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors with V-shaped-Gate-Recess Structure
대한전자공학회 학술대회
2008 .11
AlGaN/GaN high electron mobility transistor 기반 고감도 수소센서
대한전자공학회 학술대회
2019 .11
Self-Separation 방법을 적용한 고품질 Free-Standing GaN
전기전자재료학회논문지
2016 .01
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