고전압 GaN 쇼트키 장벽 다이오드의 완충층 누설전류 분석

황대원 ,  하민우 ,  노정현 외 2명

전자공학회논문지-SD

2011 .02

열 산화공정을 이용하여 제작된 고전압 GaN 쇼트키 장벽 다이오드

하민우 ,  노정현 ,  최홍구 외 5명

대한전기학회 학술대회 논문집

2011 .07

높은 항복 전압 특성을 가지는 이중 게이트 AIGan/GaN 고 전자 이동도 트랜지스터

河珉宇 ,  李承哲 ,  許振哲 외 2명

전기학회논문지 C

2005 .01

트렌치 구조를 이용한 GaN 쇼트키 장벽 다이오드

최영환 ,  하민우 ,  이승철 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

2005 .07

고전압 응용분야를 위한 GaN 쇼트키 다이오드의 산화 공정

하민우 ,  한민구 ,  한철구

전기학회논문지

2011 .12

쇼트키 다이오드의 전류-전압 특성에 관한 연구 ( A Study of 1-5 Characteristics in Schottky Diode )

안병목 ,  정원채

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

쇼트키 다이오드의 전류-전압 특성에 관한 연구

안병목 ,  정원채

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

차세대 전력 스위치용 1.5 ㎸급 GaN 쇼트키 장벽 다이오드

하민우

전기학회논문지

2012 .11

CF₄ Plasma Treatment를 이용한 고전압 GaN 쇼트키 배리어 다이오드의 개발

유지현 ,  윤창주 ,  장태훈 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2016 .11

Si 기판 위 제작된 1.5 kV급 AlGaN/GaN 쇼트키 장벽 다이오드

하민우 ,  우현석 ,  노정현 외 6명

대한전기학회 학술대회 논문집

2012 .05

Schottky 접촉을 이용한 Pt/AIGaN 자외선 수광소자의 설계 및 특성

김정규 ,  김보균 ,  박성종 외 3명

대한전자공학회 학술대회

2002 .11

차세대 고전력 다이아몬드 쇼트키 장벽 다이오드

장해녕 ,  정재덕 ,  장정훈 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

2016 .07

Au/Ni/p-type GaN 오믹 접합의 미세구조 및 전기적 특성에 관한 연구

김종규 ,  이종람 ,  이재원 외 3명

한국재료학회 학술발표대회

1999 .01

단결정 β-Ga₂O₃ 반도체를 이용한 쇼트키 배리어 다이오드 제작

김현섭 ,  조민기 ,  차호영

전자공학회논문지

2017 .01

AlGaN/InGaN HEMTs의 고성능 초고주파 전류 특성

이종욱

한국전자파학회논문지

2004 .08

온도변화에 따른 백금 쇼트키 다이오드에서 전류 메커니즘 분석 ( Analysis of Current mechanism in Pt Schottky diodes according to Temperature Variations )

장창덕 ,  이정석 ,  이용재

한국통신학회 학술대회논문집

1998 .01

이종접합 쇼트키 다이오드의 임피던스 특성을 이용한 가스센서에 관한 연구

김민준 ,  김승모 ,  박규태 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2016 .11

TiO₂와 GaN를 이용한 Schottky diode의 제작 및 특성평가

유경호 ,  강광선 ,  김재환

대한기계학회 춘추학술대회

2009 .11

온도변화에 따른 백금 쇼트키 다이오드에서 전류 매카니즘 분석

장창덕 ,  이정석 ,  이용재

한국통신학회 학술대회논문집

1998 .07

OPTICAL CONSTANTS OF AIGaN GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY

Kim ,  Je-Won ,  Son 외 12명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01