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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.8
- 수록면
- 752 - 758 (7page)
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본 논문에서는 MBE로 성장한 AIGaN/lnGaN/GaN 에피층으로 제작된 GaN HEMTs의 특성을 분석하였다. 게이트 전극 길이가 0.5㎛ 로 제작된 소자는 비교적 평탄한 전류 전달 특성을 나타내였으며 최대 전류 880 mA/mm, 최대 전달정수 156mS/mm, 그리고 fr와 fmax 는 각각 17.3GHz와 28.7GHz가 측정되었다. 또한 표면 처리되지 않은 ALGaN/InGaN IIEMT의 경우 기존의 AlGaN/GaN HEMT와는 달리 펄스 전류 동작 상태에서 전류 와해 현상 (current collapse)이 발생하지 않음이 확인되었다. 이 연구 결과는 InGaN 를 채널층으로 사용할 경우 표면에 존재하는 트랩에 의한 전류 와해 현상이 발생하지 않는 고성능, 고출력의 GaN HEMT를 제작할 수 있음을 보여준다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 소자 제작과 DC 및 펄스 전류 특성
Ⅲ. 결론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (23)
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, Mar.200 , Undoped AlGaN, GaN HEMTs for microwave power amplification 48 : 479 ~ 485
, sep.1999. , Evaluation of the temperature stability of AlGaN, GaN heterostructure FETs 20 (9) : 448 ~ 450
, 2004.05 , Power and linearity characteristics of field-plated recessed-gate AlGaN-GaN HEMTs 25 : 229 ~ 231
, Dec.2001 , A 110-W AlGaN, GaN heterojunction FET on thinned sapphire substrate : 381 ~ 384
, 2004. , A high power and high efficiency GaN HEMT amplifier for W- CDMA base station applications
, sep.1999. , Evaluation of the temperature stability of AlGaN, GaN heterostructure FETs 20 (9) : 448 ~ 450
, 2004.05 , Power and linearity characteristics of field-plated recessed-gate AlGaN-GaN HEMTs 25 : 229 ~ 231
, Dec.2001 , A 110-W AlGaN, GaN heterojunction FET on thinned sapphire substrate : 381 ~ 384
, 2004. , A high power and high efficiency GaN HEMT amplifier for W- CDMA base station applications
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