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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.1
- 수록면
- 1,018 - 1,022 (5page)
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In this paper, we proposed GaN trench Static Induction Transistor(SIT). Because The compound semiconductor had superior thermal characteristics, GaN and SiC power devices is next generation power semiconductor devices. We carried out modeling of GaN SIT with 2-D device and process simulator. As a result of modeling, we obtained 340 V breakdown voltage. The channel thickness was 3 um and the channel doping concentration is 1e17 cm-3. And we carried out thermal characteristics, too.
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H. Tadano / 1997 / Low loss static induction devices (Transistors and thyristors) / Microelectron. Reliab. 37 (9) : 1389 ~
J. Wang / 1999 / A new static indcution thyristor(SITH) analytical model / Trans. on Power Electronics 14 (5) : 866 ~
R. Signh / 1995 / Cryogenic operation of static induction (SIT/SITh) devices / ISPSD '95. Proceedings of the 7th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, Yok
T. Tamama / 1981 / Bipolar-mode transistors on a voltage- controlled scheme" / Transactions on Electron Devices ED-28 (7) : 777 ~
Y. Mochida / 1978 / Characteristics of static induction transistors: Effects of series resistance / Transactions on Electron Devices ED-25 (7) : 761 ~
J. Wang / 1999 / A new static indcution thyristor(SITH) analytical model / Trans. on Power Electronics 14 (5) : 866 ~
R. Signh / 1995 / Cryogenic operation of static induction (SIT/SITh) devices / ISPSD '95. Proceedings of the 7th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, Yok
T. Tamama / 1981 / Bipolar-mode transistors on a voltage- controlled scheme" / Transactions on Electron Devices ED-28 (7) : 777 ~
Y. Mochida / 1978 / Characteristics of static induction transistors: Effects of series resistance / Transactions on Electron Devices ED-25 (7) : 761 ~
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