PHOTOLUMINESCENCE OF THE InGaAs QUANTUM WIRES GROWN ON V-GROOVES BY CHEMICAL BEAM EPITAXY

Kim ,  Sung-Bock ,  Ro 외 6명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

높은 항복 전압 특성을 가지는 이중 게이트 AIGan/GaN 고 전자 이동도 트랜지스터

河珉宇 ,  李承哲 ,  許振哲 외 2명

전기학회논문지 C

2005 .01

Molecular Beam Epitaxy를 이용한 GaAs Layer의 성장과 특성분석 ( Growth and Characterization of GaAs Layer by Molecular Beam Epitaxy )

이승웅 ,  조훈영 ,  김은규 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1992 .07

Molecular Beam Epitaxy를 이용한 GaAs layer의 성장과 특성분석

이승웅 ,  조훈영 ,  김은규 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1992 .06

CHARACTERIZATIONS OF TILTED SUPERLATTICE QUANTUM WIRE GROWN BY MIGRATION ENHANCED EPITAXY METHOD

D.W. Kim ,  J.C. Woo

한국표면공학회지

1996 .12

TEM STUDY OF $Y_2O_3$ FILMS GROWN ON Si(111) BY IONIZED CLUSTER BEAM

Lee ,  Dong-H. ,  Seong 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

CHARACTERIZATION OF Ga0.51In0.49P / GaAs HETEROSTRUCTURES GROWN ON Si SUBSTRATES BY LOW PRESSURE ORGANOMETALLIC VAPOR PHASE EPITAXY

M. K. Lee ,  R. H. Ho ,  ng 외 2명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1989 .01

Li-doped p-type ZnS Grown by Molecular Beam Epitaxy

Sang-Tae Lee

Journal of Advanced Marine Engineering and Technology (JAMET)

2005 .05

I/f Noise in GaAs MESFETs Grown by Molecular Beam Epitaxy

송명호 ,  이헌호 ,  이윤상 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1991 .05

분자선에피텍시를 이용하여 성장한 $Si_{1-x}Ge_{x}$/Si 이종접합구조에서의 In Situ-Doped Boron 의 확산 거동에 관한 연구

윤선진 ,  이승창 ,  박신종

한국재료학회 학술발표대회

1994 .01

CHARACTERISTICS OF THERMAL NITRIDE GROWN BY IR FURNACE

Shin ,  H. ,  Choi 외 3명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

PREPARATION AND CHARACTERIZATION OF ZINC OXIDE FILMS DEPOSITION BY ION BEAM ASSISTED MOLECULAR BEAM EPITAXY

Sung Jin Kim ,  Se-Young Choi

AFORE

2012 .11

STRUCTURE AND OPTICAL PROPERTIES OF AS-GROWN POTASSIUM LITHIUM NIOBATE CRYSTALS

Yoon ,  D.H. ,  Suh 외 3명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

Schottky 접촉을 이용한 Pt/AIGaN 자외선 수광소자의 설계 및 특성

김정규 ,  김보균 ,  박성종 외 3명

대한전자공학회 학술대회

2002 .11

Optical Characterization of Self-Organized InAs Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy

S. Cho ,  C. S. Oh ,  C. K. Hahn 외 2명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1997 .01

Silicon Epitaxy

송성해

대한전자공학회 단기강좌

1983 .01

Ni/Au 쇼트키 접합의 산화를 통해 AIGaN/GaN heterostructure 웨이퍼 위에 제작한 쇼트키 장벽 다이오드의 누설전류 억제

임지용 ,  이승철 ,  하민우 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

2005 .11

라디칼 빔 보조 분자선 증착법 (Radical Beam Assisted Molecular Beam Epitaxy) 법에 의해 성장된 ZnO 박막의 발광 특성에 관한 연구

서효원 ,  변동진 ,  최원국

한국재료학회지

2003 .01

PROPERTIES OF HVPE GROWN GaN SUBSTRATES

Kim ,  S. T. ,  Lee 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

고상 에피택시에 의한 초박막 $CoSi_2$ 형성과 $Si/epi-CoSi_2/Si$(111)의 이중헤테로 에피택셜 성장

최치규 ,  강민성 ,  문종 외 3명

한국재료학회지

1998 .01