펨토초레이저 충격파에 의한 형광 나노입자 제거

박정규; 조성학; 김재구; 장원석; 황경현; 유병헌; 김광열

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자료유형: 학술저널

저자정보: 박정규 조성학 김재구 장원석 황경현 유병헌 김광열

저널정보: Korean Society for Precision Engineering Journal of the Korean Society for Precision Engineering 한국정밀공학회지 Vol.26 No.5

발행연도: 2009.5

수록면: 150 - 156 (7page)

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The removal of tiny particles adhered to surfaces is one of the crucial prerequisite for a further increase in IC fabrication, large area displays and for the process in nanotechnology. Various cleaning techniques (wet chemical cleaning, scrubbing, pressurized jets and ultrasonic processes) currently used to clean critical surfaces are limited to removal of micrometer-sized particles. Therefore the removal of sub-micron sized particles from silicon wafers is of great interest. For this purpose various cleaning methods are currently under investigation. In this paper, we report on experiments on the cleaning effect of 100nm sized fluorescence particles on silicon wafer using the plasma shockwave occurred by femtosecond laser. The plasma shockwave is main effect of femtosecond laser cleaning to remove particles. The removal efficiency was dependent on the gap distance between laser focus and surface but in some case surface was damaged by excessive laser intensity. These experiments demonstrate the feasibility of femtosecond laser cleaning using 100nm size fluorescence particles on wafer.

#Femtosecond Laser(펨토초 레이저) #Plasma(플라즈마) #Shockwave(충격파) #Nano-particle(나노 입자) #Dry Cleaning(건식 세정)

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