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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- Korean Society for Precision Engineering International Journal of Precision Engineering and Manufacturing International Journal of Precision Engineering and Manufacturing Vol.10 No.2
- 발행연도
- 2009.4
- 수록면
- 111 - 116 (6page)
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This paper reports on an investigation of contact damage induced in molds and substrate materials used in micro and nanoimprint lithography. Silicon, polydimethylsiloxane (PDMS), glass, and silicon carbide were studied. A finite element analysis using ABAQUS software was conducted to investigate the stress induced in mold and substrate materials when they come in contact with each other at a uniaxial pressure of 1 MPa. A spherical indentation experiment was conducted for a model study for various indentation loads and numbers of contact cycles. We examined the contact damage during the spherical indentation. Indentation stress-strain curves, surface views of contact damage, and mechanical properties were characterized for the mold and substrate materials.
목차
1. Introduction
2. Experimental Procedure
3. Conclusions
ACKNOWLEDGMENT
REFERENCES
참고문헌 (17)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - Lan, H / 2007 / Review of the water stage for nanoimprint lithography / Microelectronic Engineering 84 (4) : 684 ~ 688
2. [학술지(정기간행물)] - Hsueh, C / 2006 / Analyses of mechanical failure in nanoimprint processes / Materials Science and Engineering A 433 (1) : 316 ~ 322
3. [학술지(정기간행물)] - Chou, S. Y / 1996 / Imprint lithography with 25 nanometer resolution / Science 272 (5258) : 85 ~ 87
4. [학술지(정기간행물)] - Schueller, O. J. A / 1999 / Fabrication of glassy carbon microstructures by soft lithography / Sensors and Actuators A: Physical 72 (2) : 125 ~ 139
5. [학술지(정기간행물)] - Choi, B. J / 2001 / Design of orientation stages for step and flash imprint lithography / Journal of the International Societies for Precision Engineering and Nanotechnology 25 (3) : 192 ~ 199
2. [학술지(정기간행물)] - Hsueh, C / 2006 / Analyses of mechanical failure in nanoimprint processes / Materials Science and Engineering A 433 (1) : 316 ~ 322
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