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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국조명·전기설비학회 조명·전기설비학회논문지 Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers Vol.22 No.11
- 발행연도
- 2008.11
- 수록면
- 36 - 43 (8page)
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In this paper aluminium-doped zinc oxied(ZnO:Al) conduction layer was deposited on polytheylene terephthalate(PET) substrate by r. f. magnetron sputtering method. The effects of gas pressure and r. f. sputtering power on the structural and electrical properties of ZnO:Al thin film were investigated experimentally. Especially the effect of position of PET substrate on the electrical properties of the film was studied and fixed to improve the electrical properties and also to increase the deposition rate. The results show that the structural and electrical properties of ZnO:Al thin film were strongly influenced by the gas pressure and sputtering power. The minimum resistivity of 1.1×10<SUP>-3</SUP>[Ω-cm] was obtained at 5[mTorr] of gas pressure, and 180[W] of sputtering power. The deposition rate of ZnO:Al film at 5[mTorr] of gas pressure was 248[nm/min]. and is higher by around 3 times compared to that at 25[mTorr].
목차
Abstract
1. Introduction
2. Experimentals
3. Results and Discussions
4. Conclusion
References
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