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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국표면공학회 한국표면공학회지 한국표면공학회지 제42권 제1호
발행연도
2009.2
수록면
21 - 25 (5page)

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Using an evaporation system, SiO₂ was deposited as a buffer layer between a PET substrate and a ITO layer and then ITO/SiO₂/PET layers were annealed for 1.5 hours at the temperature of 180℃. Adhesion and electro-optical properties of ITO films were studied with thickness variance of a SiO₂ buffer layer. As a result of introduction of the SiO₂ buffer layer, sheet resistance and resistivity increased and a ITO film with optimum sheet resistance ( 529.3 Ω/square) for an upper ITO film of resistive type touch panel could be obtained when SiO₂ of 50 A was deposited. And it was found that ITO films with SiO₂ buffer layer have higher transmittance of 88~90% at 550 ㎚ wavelength than ITO films with no buffer layers and the transmittance was enhanced as SiO₂ thickness increased from 50 A to 100 A. Adhesion property of ITO films with SiO₂ buffer layers became better than ITO films with no buffer layers and this property was independent of SiO₂ thickness variance (50~100 A). By depositing a SiO₂ buffer layer of 50 A on the PET substrate and sputtering a ITO thin film on the layer, a ITO film with enhanced adhesion, electro-optical properties could be obtained.

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌

참고문헌 (12)

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