Effect of SiO2 and Nb2O5 Buffer Layer on Optical Characteristics of ITO Thin Film

권용한; 장건익

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자료유형: 학술저널

저자정보: 권용한 장건익

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제16권 제1호

발행연도: 2015.1

수록면: 29 - 33 (5page)

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This paper presents the results of the optical characteristics of ITO thin film with different buffer layer thicknessesof SiO2 and Nb2O5 for touch sensor application. SiO2 and Nb2O5 buffer layers were deposited using RF magnetronsputtering equipment. The buffer layers were inserted between glass and ITO layers. In order to compare withthe experimental results, the Essential Macleod Program (EMP) was adopted. Based on EMP simulation, the[Nb2O5|SiO2|ITO] multi-layered thin film exhibited high transmittance of more than 85% in the visible region. Theactual experimental results also showed transmittance of more than 85% in the visible region, indicating that thesimulated results were well matched with the experimental results. The sheet resistance of ITO based film was about340 Ω/sq. The surface roughness maintained a relatively small value within the range of 0.1~0.4 nm when using theNb2O5 and SiO2 buffer layers.

#ITO #Nb2O5 #SiO2 #Multi-layer #Optical properties #Thin films

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Andrea Ambrosini / 2000 / Electrical, Optical, and Structural Properties of Tin-Doped In2O3?M2O3 Solid Solutions (M=Y, Sc) / Journal of Solid State Chemistry 153 (1) : 41 ~

Boen Houng / 2011 / Influence of an In2O3 buffer layer on the properties of ITO thin films / Ceramics International 37 (8) : 3397 ~ 3403

C. Guillen / 2006 / Influence of oxygen in the deposition and annealing atmosphere on the characteristics of ITO thin films prepared by sputtering at room temperature / Vacuu

C.Y. Hsu / 2008 / Influence of ZnO buffer layer on AZO film properties by radio frequency magnetron sputte

Chih-Ming Chen / 2011 / Effects of annealing conditions on the properties of TiO2/ITO-based photoanode and the photovoltaic performance of dye-sensitized solar cells / Journa

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