Effect of a TiO2 Buffer Layer on the Properties of ITO Films Prepared by RF Magnetron Sputtering

김대일

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자료유형: 학술저널

저자정보: 김대일

저널정보: 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제14권 제5호

발행연도: 2013.1

수록면: 242 - 245 (4page)

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Sn-doped In2O3 (ITO) thin films were prepared by radio frequency magnetron sputtering without intentional substrate heating on bare glass and TiO2-deposited glass substrates to investigate the effect of a TiO2 buffer layer on the electrical and optical properties of ITO films. The thicknesses of TiO2 and ITO films were kept constant at 5 and 100 nm, respectively. As-deposited ITO single layer films show an optical transmittance of 75.9%, while ITO/TiO2 bilayered films show a lower transmittance of 76.1%. However, as-deposited ITO/TiO2 films show a lower resistivity (9.87×10-4 Ωcm) than that of ITO single layer films. In addition, the work function of the ITO film is affected by the TiO2buffer layer, with the ITO/TiO2 films having a higher work-function (5.0 eV) than that of the ITO single layer films. The experimental results indicate that a 5-nm-thick TiO2 buffer layer on the ITO/TiO2 films results in better performance than conventional ITO single layer films.

#ITO #TiO2 #Magnetron sputtering #Figure of merit #Work function

참고문헌 (12)

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C. Nunes de Carvalho / 2005 / / Amaral, Mater. Sci.Eng., B 118 : 66 ~

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G. Haacke / 1976 / / J. Appl. Phys 47 : 4086 ~

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김대일

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주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 전기공학

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