RF 플라즈마 CVD에 의한 CH₄-H₂-O₂ 혼합 기체로부터 다이아몬드 박막의 합성

李常熙 ,  李德出

전기학회논문지

1998 .11

Plasma cleaning of CVD graphene by CH₄/Ar

Jia Lee ,  Qu Deshun ,  Chang-Ho Ra 외 1명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2013 .11

Relationship between Secondary Electron Emissions and Film Thickness of Hydrogenated Amorphous Silicon

Sung-Chae Yang ,  Byung-Yoon Chu ,  Seok-Cheol Ko 외 1명

KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications

2004 .08

Heat Treatment with High Pressure Water Vapor of Hydrogenated Amorphous Silicon

Hi ,  oshi Sato ,  William Makoto Nakamu 외 10명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2008 .06

Hydrogenated Amorphous Carbon Film Prepared by Anode Layer Ion Source

Seunghun Lee ,  Ki-Taek Kim ,  Do-Geun Kim 외 1명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2013 .11

ECR 플라즈마 CVD 방법을 이용한 수소화된 비정질 실리콘 박막의 증착과 광학적 특성

김용일 ,  이진엽 ,  강문상 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1995 .06

DEPOSITION OF A-SIC : H FILMS ON AN UNHEATED SI SUBSTRATE BY LOW FREQUENCY (50㎐) PLASMA Cvd

M. Shimozuma ,  K. Iba ,  agi 외 5명

한국표면공학회지

1996 .12

플라즈마 CVD 법을 이용한 대면적 균일한 비정질 탄소 막 증착

윤상민 ,  양성채

전기전자재료학회논문지

2009 .01

Study of optical emission spectroscopy measurement in oxide thin film deposition process for plasma

Tae-Hoon Jo ,  Myoung-Soo Yun ,  HyeJin Pa 외 3명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2013 .11

ECRPCVD 방법을 이용한 수소화된 비정질 실리콘 박막의 증착과 광학적 특성에 관한 연구 ( Deposition and Optical Characteristics of the Hydrogenated Amorphous Silicon Films Using ECR Plasma CVD )

김용일 ,  이진엽 ,  강문상 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1995 .07

TWO DIMENSIONAL NUMERICAL SIMULATION PROGRAM FOR HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON THIN FILM TRANSISTORS

JongS. Choi ,  Ge ,  old W. Neudeck

대한전기학회 학술대회 논문집

1994 .11

XPS Investigation and Field Emission Property of the Ar Plasma Processed Carbon Nanotube Films

Sun-Woo LEE ,  Boong-Joo LEE ,  Tetsuji ODA

Transactions on Electrical and Electronic Materials

2008 .01

LOW TEMPERATURE DEPOSITION OFSIO_x FILMS BY PLASMA-ENHANCED CVD USING 100 ㎑ GENERATOR

Nobuyuki Kakinoki ,  Takenobu Suzuki ,  Osamu Takai

한국표면공학회지

1996 .12

Electro-optical characteristics of MgO protective layer after RF plasma treatment using Ar, $O_2$ and $H_2$ gases

Son ,  Chang-Gil ,  Lee 외 28명

한국정보디스플레이학회 International Meeting

2005 .01

Etching Characteristics and Mechanism of Low Temperature Deposited Silicon Nitride Film Using Inductively Coupled CH₂F₂/O₂/Ar Plasma

Jinyoung Son ,  Junmyung Lee ,  Inwoo Chun 외 3명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2013 .11

잔류가스분석기 및 발광 분광 분석법을 통한 중간압력의 NF₃ 플라즈마 실리콘 식각 공정

권희태 ,  김우재 ,  신기원 외 3명

반도체디스플레이기술학회지

2018 .01

RF-PACVD를 이용한 Hydrogenated Carbon Nitride박막의 합성 및 특성에 관한 연구

이철화 ,  김병수 ,  박구범 외 3명

대한전기학회 학술대회 논문집

1998 .11

Study of Surface Reaction and Gas Phase Chemistries in High Density C4F8/O2/Ar and C4F8/O2/Ar/CH2F2 Plasma for Contact Hole Etching

김관하

Transactions on Electrical and Electronic Materials

2015 .01

유체 시뮬레이션을 이용한 유도결합 Ar/CH₄ 플라즈마의 특성 분석

차주홍 ,  이호준

전기학회논문지

2016 .08

RF Plasma CVD에 의한 TMDSO/O₂의 합성과 박막의 특성에 관한 연구

김인성 ,  김귀열 ,  강동필 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

1991 .11