열처리에 따른 구리박막의 리플로우 특성

김동원; 김상호

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자료유형: 학술저널

저자정보: 김동원 김상호

저널정보: 한국표면공학회 한국표면공학회지 한국표면공학회지 제38권 제1호

발행연도: 2005.2

수록면: 28 - 36 (9page)

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In this study, the reflow characteristics of copper thin films which is expected to be used as interconnection materials in the next generation semiconductor devices were investigated. Cu thin films were deposited on the TaN diffusion barrier by metal organic chemical vapor deposition (MOCYD) and annealed at the temperature between 250℃ and 550℃ in various ambient gases. When the Cu thin films were annealed in the hydrogen ambience compared with oxygen ambience, sheet resistance of Cu thin films decreased and the breakdown of TaN diffusion barrier was not occurred and a stable Cu/TaN/Si structure was formed at the annealing temperature of 450℃. In addition, reflow properties of Cu thin films could be enhanced in H₂ ambient. With Cu reflow process, we could fill the trench patterns of 0.16~0.24 ㎛ with aspect ratio of 4.17~6.25 at the annealing temperature of 450℃ in hydrogen ambience. It is expected that Cu reflow process will be applied to fill the deep pattern with ultra fine structure in metallization.

#Reflow #Copper film #TaN Diffusion Barrier #Pattern filling #Gigo DRAM

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[학술지(정기간행물)] - / 1998 / Stress in Induced Phenomena in Metallization

[학술지(정기간행물)] - / 1991 / Proc. of 1991 VMIC : 152 ~

[학술지(정기간행물)] - / 1993 / Advanced Metallization for ULSI Application : 207 ~

[학술지(정기간행물)] - / 1991 / Kor. J. Mater. Res no. 2 : 124 ~

[학술지(정기간행물)] - / 1999 / Reflow and agglomeration of Cu thin film for the interconnect in semiconductor device : 113 ~

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