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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.7 No.3
- 발행연도
- 2007.9
- 수록면
- 177 - 182 (6page)
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This paper presents the see-saw type RF MEMS switch based on a single crystalline silicon structure with narrow gap vertical comb. Low actuation voltage and high isolation are key features to be solved in electrostatic RF MEMS switch design. Since these parameters in conventional parallel plate RF MEMS switch designs are in trade-off relationship, both requirements cannot be met simultaneously. In the vertical comb design, however, the actuation voltage is independent of the vertical separation distance between the contact electrodes. Therefore, the large separation gap between contact electrodes is implemented to achieve high isolation. We have designed and fabricated RF MEMS switch which has 46dB isolation at 5㎓, 0.9㏈ insertion loss at 5㎓ and 40V actuation voltage.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. STRUCTURES
Ⅲ. SIMULATION
Ⅳ. FABRICATION
Ⅴ. MEASUREMENT RESULTS & DISCUSSION
Ⅵ. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES
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