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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 電子工學會論文誌 SD編 第44卷 第8號
발행연도
2007.8
수록면
45 - 51 (7page)

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1.6 ㎛의 활성층을 가지는 planar형태의 94 ㎓ graded-gap injector GaAs 건 다이오드를 설계, 제작하였다. 이 다이오드는 반 절연 기판에 성장된 에피 구조를 바탕으로 메사 식각, 오믹 금속 접촉형성 및 overlay metalization의 주요 공정을 통하여 두가지 형태의 planar 구조로 제작되었다. 제작된 건 다이오드의 부성저항 특성을 anode와 cathode 금속전극들의 배치를 달리 한 두 소자 구조에서 고찰하였고 graded-gap injector의 역할을 순방향과 역방향에서의 직류거동으로부터 살펴보았다. 결과적으로, 금속전극의 배치에 있어서, cathode와 anode 전극사이의 거리가 감소된 소자 구조에서 증가된 peak 전류와 breakdown 전압, 그리고 감소된 문턱전압을 얻었다.
#GaAs #Gunn diode #Graded-gap injector #Negative resistance

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 설계 및 공정
Ⅲ. 결과 및 논의
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개

참고문헌 (1)

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문상현, 신승재, 송재만, 김동일, 김기만. GHz 대역용 복합형 Ba 페라이트 전파흡수체의 개발. 한국전자파학회논문지. 2003 dbpia

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