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한국정보기술학회 한국정보기술학회논문지 韓國情報技術學會論文誌 제3권 제6호
발행연도
2005.12
수록면
75 - 84 (10page)

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전원장치의 크기와 무게를 줄이기 위한 전력 컨버터의 고주파 동작은 지난 수 십년 간의 주요 과제가 되고 있다. 컨버터의 고주파 동작을 위한 해결책은 고속 스위칭 다이오드이다. 따라서, 휴대 통신기기를 비롯한 특정 응용분야에서는 Si 다이오드보다 스위칭 특성이 빠른 소형 다이오드가 사용되고 있다. 본 논문에서는 고 전력밀도를 갖는 전력 컨버터에 적용하기위한 70 V, 10 A급의 전력용 GaAs 다이오드를 설계 개발하였다. 개발된 다이오드의 역회복 시간은 12.5 nsec로 매우 빠르며 누설 전류는 3 ㎂정도이다. 컨버터를 테스트한 주요 파형은 설계된 다이오드는 Si 다이오드보다 고주파 동작에 더 적합함을 보여준다.
#GaAs 다이오드 #역회복 시간 #고속 다이오드

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 갈륨비소(GaAs) 숏트키 다이오드
Ⅲ. 갈륨비소 숏트키 다이오드 디바이스 설계
Ⅳ. 갈륨비소 숏트키 다이오드 특성 측정
Ⅴ. 결론
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